忆阻器件模型分析及其在突触和控制器中的应用研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 引言 | 第9-15页 |
| 1.1 忆阻理论提出、发展及研究现状 | 第9-10页 |
| 1.2 尺寸参数对忆阻器件的影响作用 | 第10-11页 |
| 1.3 忆阻器天然具有的神经突触特性 | 第11页 |
| 1.4 忆阻器与传统PID控制器的结合 | 第11-12页 |
| 1.5 本文的研究意义及内容结构安排 | 第12-15页 |
| 第二章 忆阻器模型分析 | 第15-29页 |
| 2.1 惠普忆阻器模型 | 第15-19页 |
| 2.1.1 物理模型 | 第15页 |
| 2.1.2 数学模型 | 第15-17页 |
| 2.1.3 数值仿真 | 第17-19页 |
| 2.2 自旋忆阻器模型 | 第19-23页 |
| 2.2.1 物理模型 | 第19页 |
| 2.2.2 数学模型 | 第19-21页 |
| 2.2.3 数值仿真 | 第21-23页 |
| 2.3 忆阻器尺寸分析 | 第23-26页 |
| 2.3.1 尺寸变化对惠普忆阻器的影响 | 第23-24页 |
| 2.3.2 尺寸变化对自旋忆阻器的影响 | 第24-26页 |
| 2.4 两种忆阻器间的比较 | 第26-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 忆阻器突触特性研究 | 第29-39页 |
| 3.1 WO_x忆阻器模型 | 第29-31页 |
| 3.1.1 基本结构 | 第29页 |
| 3.1.2 数学模型 | 第29-31页 |
| 3.1.3 突触特性的不足 | 第31页 |
| 3.2 改进的WO_x模型 | 第31-33页 |
| 3.2.1 改进方案介绍 | 第31页 |
| 3.2.2 改进后的模型 | 第31-32页 |
| 3.2.3 数值仿真展示 | 第32-33页 |
| 3.3 突触可塑性 | 第33-37页 |
| 3.3.1 幅值、宽度、间隔可塑性 | 第33-35页 |
| 3.3.2 长、短期记忆可塑性 | 第35-36页 |
| 3.3.3 经验学习现象 | 第36-37页 |
| 3.4 温度对权值的影响 | 第37-38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 忆感器突触特性研究 | 第39-49页 |
| 4.1 忆感器模型 | 第39-41页 |
| 4.1.1 基本结构 | 第39页 |
| 4.1.2 数学模型 | 第39-40页 |
| 4.1.3 突触特性 | 第40-41页 |
| 4.2 改进后的模型 | 第41-43页 |
| 4.2.1 方案介绍 | 第41页 |
| 4.2.2 数学模型 | 第41-42页 |
| 4.2.3 仿真对比 | 第42-43页 |
| 4.3 忆感突触可塑性 | 第43-46页 |
| 4.3.1 脉冲幅值、宽度、间隔可塑性 | 第43-45页 |
| 4.3.2 长、短期记忆可塑性 | 第45-46页 |
| 4.4 经验学习现象 | 第46-47页 |
| 4.5 本章小结 | 第47-49页 |
| 第五章 基于自旋忆阻器的PID控制器 | 第49-57页 |
| 5.1 一种传统的PID控制器 | 第49-50页 |
| 5.1.1 基本电路结构 | 第49页 |
| 5.1.2 电路方程描述 | 第49-50页 |
| 5.2 自旋忆阻PID控制器 | 第50-52页 |
| 5.2.1 基本电路结构 | 第50-51页 |
| 5.2.2 电路方程描述 | 第51-52页 |
| 5.3 计算机仿真 | 第52-54页 |
| 5.3.1 正弦电压作用下的仿真结果 | 第52-53页 |
| 5.3.2 脉冲电压作用下的仿真结果 | 第53-54页 |
| 5.4 自旋PID控制系统实例分析 | 第54-55页 |
| 5.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 第六章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 6.1 本文的工作总结 | 第57-58页 |
| 6.2 下一步研究思路 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第67-69页 |
| 攻读硕士期间参加的项目 | 第69页 |
