摘要 | 第10-14页 |
ABSTRACT | 第14-18页 |
符号说明 | 第19-20页 |
第一章 绪论 | 第20-46页 |
1.1 发光二极管(LED) | 第20-30页 |
1.1.1 LED的发展历史 | 第21-22页 |
1.1.2 LED特点 | 第22页 |
1.1.3 LED的应用领域 | 第22-25页 |
1.1.4 LED的基本特性 | 第25-27页 |
1.1.5 LED发展趋势及现状 | 第27-28页 |
1.1.6 LED芯片效率 | 第28-30页 |
1.2 LED芯片技术 | 第30-33页 |
1.2.1 GaN材料接触电阻 | 第30-31页 |
1.2.2 GaN基LED提取效率 | 第31-32页 |
1.2.3 改善LED光提取效率方法 | 第32-33页 |
1.3 一维纳米结构生长 | 第33-38页 |
1.3.1 VLS一维纳米结构生长机理 | 第33-36页 |
1.3.2 晶体自发成核理论 | 第36-38页 |
1.4 本文主要研究工作 | 第38-41页 |
参考文献 | 第41-46页 |
第二章 LED芯片主要制造工艺及设备 | 第46-65页 |
2.1 LED芯片流程 | 第46-48页 |
2.1.1 LED外延工艺 | 第46-47页 |
2.1.2 LED芯片流程 | 第47-48页 |
2.2 LED芯片制备工艺及设备 | 第48-58页 |
2.2.1 金属镀膜 | 第48-51页 |
2.2.2 光刻 | 第51-53页 |
2.2.3 刻蚀 | 第53-56页 |
2.2.4 PECVD | 第56-58页 |
2.3 LED芯片测试检验 | 第58-60页 |
2.3.1 LED芯片主要性能参数 | 第58-59页 |
2.3.2 LED芯片参数测试方法及设备 | 第59-60页 |
2.4 GaN基LED芯片结构 | 第60-61页 |
2.5 本章小结 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-65页 |
第三章 电子束蒸发ITO纳米柱导电薄膜生长机理 | 第65-90页 |
3.1 引言 | 第65-72页 |
3.1.1 ITO透明导电薄膜 | 第65-68页 |
3.1.2 薄膜的表征方法--SEM | 第68-69页 |
3.1.3 薄膜的表征方法--四探针测方阻 | 第69-70页 |
3.1.4 薄膜的表征方法--紫外分光分度计测透过率 | 第70-71页 |
3.1.5 VLS生长机理 | 第71-72页 |
3.2 电子束蒸发ITO薄膜实验 | 第72-85页 |
3.2.1 电子束蒸发不同镀率ITO薄膜试验研究 | 第72-75页 |
3.2.2 电子束镀膜通氧量对ITO镀膜试验影响研究 | 第75-79页 |
3.2.3 无氧镀膜速率对ITO薄膜影响研究 | 第79-80页 |
3.2.4 不同基板材质对ITO纳米柱薄膜影响的研究 | 第80-83页 |
3.2.5 不同生长条件组合形成不同形貌ITO薄膜的研究 | 第83-85页 |
3.3 本章小结 | 第85-87页 |
参考文献 | 第87-90页 |
第四章 纳米结构薄膜在GAN LED上应用研究 | 第90-108页 |
4.1 引言 | 第90页 |
4.2 表面结构在正装GaN LED应用 | 第90-97页 |
4.2.1 ITO不规则粗化 | 第90-93页 |
4.2.2 ITO薄膜规则粗化 | 第93-95页 |
4.2.3 P-GaN不规则纳米结构 | 第95-97页 |
4.3 N-GaN出光的倒装LED结构 | 第97-101页 |
4.3.1 表面粗化的倒装GaN基LED | 第98-99页 |
4.3.2 不同p型厚度LED结构 | 第99-101页 |
4.4 电子束蒸发不同形貌ITO薄膜在LED上应用 | 第101-105页 |
4.5 本章小结 | 第105-107页 |
参考文献 | 第107-108页 |
第五章 主要结论、创新点及有待进一步开展的工作 | 第108-112页 |
5.1 主要结论 | 第108-110页 |
5.1.1 电子束蒸发生长纳米晶ITO薄膜的机理 | 第108-109页 |
5.1.2 影响ITO薄膜表面形貌的因素 | 第109页 |
5.1.3 GaN基LED芯片出光表面纳米结构研究应用 | 第109-110页 |
5.1.4 电子束蒸发制备的不同形貌ITO薄膜在LED中的应用 | 第110页 |
5.2 创新点 | 第110-111页 |
5.3 下一步工作 | 第111-112页 |
致谢 | 第112-114页 |
攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第114-116页 |
附录 | 第116-117页 |
学位论文评阅及答辩情况表 | 第117页 |