| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 1 绪论 | 第7-11页 |
| 1.1 本课题研究背景与意义 | 第7页 |
| 1.2 相关领域的研究现状 | 第7-10页 |
| 1.2.1 PIN二极管微波开关的研究现状 | 第7-9页 |
| 1.2.2 GaN高电子迁移率晶体管微波开关的研究现状 | 第9-10页 |
| 1.3 本文的主要工作介绍 | 第10-11页 |
| 2 开关电路设计的基本分析理论 | 第11-22页 |
| 2.1 概述 | 第11页 |
| 2.2 PIN二极管的基本特性 | 第11-15页 |
| 2.2.1 各种偏压下的特性 | 第11-13页 |
| 2.2.2 各种偏压下的等效电路 | 第13-14页 |
| 2.2.3 主要参数 | 第14-15页 |
| 2.3 PIN二极管开关的工作原理分析 | 第15-17页 |
| 2.3.1 开关插入损耗和隔离度 | 第15-16页 |
| 2.3.2 开关功率容量 | 第16-17页 |
| 2.4 GaN HEMT管的基本特性 | 第17-19页 |
| 2.5 GaN HEMT管开关的工作原理分析 | 第19-21页 |
| 2.5.1 GaN HEMT管的直流特性 | 第19-20页 |
| 2.5.2 GaN HEMT管等效电路分析 | 第20-21页 |
| 2.6 本章小结 | 第21-22页 |
| 3 基于PIN二极管的SPST和SPDT开关的设计 | 第22-36页 |
| 3.1 概述 | 第22页 |
| 3.2 单刀单掷(SPST)开关设计 | 第22-29页 |
| 3.2.1 设计指标要求 | 第22页 |
| 3.2.2 电路设计 | 第22-25页 |
| 3.2.3 仿真结果与分析 | 第25-28页 |
| 3.2.4 加工与测试结果 | 第28-29页 |
| 3.3 单刀双掷(SPDT)开关设计 | 第29-34页 |
| 3.3.1 设计指标要求 | 第30-31页 |
| 3.3.2 电路设计 | 第31-32页 |
| 3.3.3 仿真结果与分析 | 第32-33页 |
| 3.3.4 加工与测试结果 | 第33-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-36页 |
| 4 基于GaN HEMT管的高隔离度开关的设计 | 第36-48页 |
| 4.1 概述 | 第36页 |
| 4.2 DC-10 GHz开关的设计 | 第36-41页 |
| 4.2.1 设计指标要求 | 第36页 |
| 4.2.2 电路设计 | 第36-37页 |
| 4.2.3 仿真结果与分析 | 第37-41页 |
| 4.3 基于Dual-Gate的高隔离度单刀双掷开关的设计 | 第41-47页 |
| 4.3.1 GaN HEMT管开关设计的难点 | 第42页 |
| 4.3.2 设计指标要求 | 第42页 |
| 4.3.3 引入R-C-R电路结构 | 第42-44页 |
| 4.3.4 仿真结果与分析 | 第44-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 5 基于开关的可重构匹配网络的设计 | 第48-61页 |
| 5.1 概述 | 第48页 |
| 5.2 可重构匹配网络的设计 | 第48-52页 |
| 5.2.1 设计意义 | 第48页 |
| 5.2.2 技术指标要求 | 第48-49页 |
| 5.2.3 电路模型的选取 | 第49-51页 |
| 5.2.4 理论公式的推导 | 第51-52页 |
| 5.3 仿真结果与分析 | 第52-59页 |
| 5.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 6 总结与展望 | 第61-63页 |
| 6.1 本文的主要工作 | 第61页 |
| 6.2 后续工作与展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 攻读硕士期间已发表的论文和获奖情况 | 第69页 |
