| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-21页 |
| 1.1 半导体存储器 | 第8-10页 |
| 1.1.1 易失性存储器 | 第9页 |
| 1.1.2 非易失存储器 | 第9-10页 |
| 1.2 阻性存储器技术的研究现状 | 第10-15页 |
| 1.2.1 阻性存储器的发展 | 第10-12页 |
| 1.2.2 阻性存储器的器件结构 | 第12-13页 |
| 1.2.3 阻性存储器电学特性及器件参数 | 第13-15页 |
| 1.2.3.1 阻性存储器的电学特性 | 第13-14页 |
| 1.2.3.2 阻性存储器的器件参数 | 第14-15页 |
| 1.3 阻性存储器的工作机理 | 第15-20页 |
| 1.3.1 ECM机制 | 第15-16页 |
| 1.3.2 VCM机制 | 第16-17页 |
| 1.3.3 TCM机制 | 第17-19页 |
| 1.3.4 PCM机制 | 第19-20页 |
| 1.4 选题及意义 | 第20-21页 |
| 1.4.1 Ag/a-silicon/p-silicon结构阻性存储器 | 第20页 |
| 1.4.2 Ag/SixCl-x/p-silicon结构阻性存储器 | 第20-21页 |
| 2 器件制备及表征方法 | 第21-29页 |
| 2.1 器件制备 | 第21-23页 |
| 2.1.1 HWCVD制备介质层 | 第21-22页 |
| 2.1.2 溅射法制备金属电极 | 第22-23页 |
| 2.2 表征方法 | 第23-29页 |
| 2.2.1 结构特性表征 | 第23-24页 |
| 2.2.2 电学特性表征 | 第24-29页 |
| 2.2.2.1 线性元件阻抗谱特性 | 第25-26页 |
| 2.2.2.2 复合元件阻抗谱特性 | 第26-29页 |
| 3 Ag/a-silicon/p-silicon阻性存储器及测试结果 | 第29-34页 |
| 3.1 器件制备过程 | 第29页 |
| 3.2 器件测试结果及分析 | 第29-33页 |
| 3.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 4 Ag/Si_xC_(1-x)/p-silicon型器件特性研究 | 第34-43页 |
| 4.1 器件制备及测试 | 第34页 |
| 4.2 器件特性研究 | 第34-42页 |
| 4.2.1 Ⅰ-Ⅴ特性曲线和渗流通道模型 | 第34-36页 |
| 4.2.2 对数拟合及缺陷态控制的空间电荷限制电流 | 第36-39页 |
| 4.2.3 缺陷态密度对set/reset电压的影响 | 第39-40页 |
| 4.2.4 阻抗谱分析及导通机制 | 第40-42页 |
| 4.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 结论 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-48页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
