摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第9-20页 |
1.1 课题背景及研究目的和意义 | 第9-10页 |
1.2 国内外研究现状分析 | 第10-18页 |
1.2.1 星载存储设备发展现状 | 第10-13页 |
1.2.2 星载存储设备容错加固技术研究现状 | 第13-17页 |
1.2.3 国内外研究现状总结 | 第17-18页 |
1.3 主要研究内容及论文结构 | 第18-20页 |
第2章 总体研究方案 | 第20-31页 |
2.1 研究分析 | 第20-21页 |
2.2 eMMC阵列存储访问控制技术研究方案 | 第21-22页 |
2.3 基于eMMC的星载存储容错加固技术研究方案 | 第22-28页 |
2.3.1 空间辐射效应对星载存储的影响 | 第23-25页 |
2.3.2 单粒子翻转效应容错加固技术研究方案 | 第25-27页 |
2.3.3 单粒子闩锁效应防护技术研究方案 | 第27-28页 |
2.4 硬件系统环境 | 第28-29页 |
2.5 软件开发环境 | 第29-30页 |
2.6 本章小结 | 第30-31页 |
第3章 eMMC阵列存储访问控制技术 | 第31-48页 |
3.1 eMMC器件介绍 | 第31-37页 |
3.1.1 eMMC 5.0 器件结构 | 第31-33页 |
3.1.2 eMMC 5.0 工作模式 | 第33页 |
3.1.3 eMMC器件的寄存器 | 第33-34页 |
3.1.4 eMMC 5.0 总线控制时序 | 第34-37页 |
3.2 eMMC阵列存储访问控制逻辑设计 | 第37-47页 |
3.2.1 eMMC控制器设计 | 第38-45页 |
3.2.2 eMMC读写调度模块设计 | 第45页 |
3.2.3 eMMC阵列同步模块设计 | 第45-47页 |
3.3 本章小结 | 第47-48页 |
第4章 基于eMMC的星载存储容错加固技术 | 第48-65页 |
4.1 单粒子翻转效应容错加固技术 | 第48-55页 |
4.1.1 基于扩展汉明码的FIFO容错加固技术 | 第48-54页 |
4.1.2 基于TMR的状态机容错加固技术 | 第54-55页 |
4.2 单粒子闩锁效应防护技术 | 第55-64页 |
4.2.1 电流采集电路 | 第57页 |
4.2.2 开关电路 | 第57-58页 |
4.2.3 电流异常判断电路 | 第58-59页 |
4.2.4 开关控制电路 | 第59-60页 |
4.2.5 自动恢复供电电路 | 第60-62页 |
4.2.6 整体电路 | 第62-64页 |
4.3 本章小结 | 第64-65页 |
第5章 实验验证与分析 | 第65-76页 |
5.1 eMMC阵列存储访问控制测试验证 | 第65-67页 |
5.1.1 实验环境 | 第65页 |
5.1.2 eMMC读写功能及速度测试 | 第65-67页 |
5.1.3 eMMC阵列同步功能验证 | 第67页 |
5.2 单粒子翻转效应容错加固设计功能验证 | 第67-71页 |
5.2.1 实验环境 | 第67-68页 |
5.2.2 FIFO容错加固设计验证 | 第68-71页 |
5.3 单粒子闩锁效应防护电路功能及指标验证 | 第71-75页 |
5.3.1 实验环境及方法 | 第71-72页 |
5.3.2 功能测试结果及分析 | 第72-73页 |
5.3.3 指标测试结果及误差分析 | 第73-75页 |
5.4 本章小结 | 第75-76页 |
结论 | 第76-77页 |
参考文献 | 第77-81页 |
附录 | 第81-82页 |
攻读学位期间发表的学术论文及其他成果 | 第82-84页 |
致谢 | 第84页 |