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基于eMMC的星载大容量存储关键技术研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-20页
    1.1 课题背景及研究目的和意义第9-10页
    1.2 国内外研究现状分析第10-18页
        1.2.1 星载存储设备发展现状第10-13页
        1.2.2 星载存储设备容错加固技术研究现状第13-17页
        1.2.3 国内外研究现状总结第17-18页
    1.3 主要研究内容及论文结构第18-20页
第2章 总体研究方案第20-31页
    2.1 研究分析第20-21页
    2.2 eMMC阵列存储访问控制技术研究方案第21-22页
    2.3 基于eMMC的星载存储容错加固技术研究方案第22-28页
        2.3.1 空间辐射效应对星载存储的影响第23-25页
        2.3.2 单粒子翻转效应容错加固技术研究方案第25-27页
        2.3.3 单粒子闩锁效应防护技术研究方案第27-28页
    2.4 硬件系统环境第28-29页
    2.5 软件开发环境第29-30页
    2.6 本章小结第30-31页
第3章 eMMC阵列存储访问控制技术第31-48页
    3.1 eMMC器件介绍第31-37页
        3.1.1 eMMC 5.0 器件结构第31-33页
        3.1.2 eMMC 5.0 工作模式第33页
        3.1.3 eMMC器件的寄存器第33-34页
        3.1.4 eMMC 5.0 总线控制时序第34-37页
    3.2 eMMC阵列存储访问控制逻辑设计第37-47页
        3.2.1 eMMC控制器设计第38-45页
        3.2.2 eMMC读写调度模块设计第45页
        3.2.3 eMMC阵列同步模块设计第45-47页
    3.3 本章小结第47-48页
第4章 基于eMMC的星载存储容错加固技术第48-65页
    4.1 单粒子翻转效应容错加固技术第48-55页
        4.1.1 基于扩展汉明码的FIFO容错加固技术第48-54页
        4.1.2 基于TMR的状态机容错加固技术第54-55页
    4.2 单粒子闩锁效应防护技术第55-64页
        4.2.1 电流采集电路第57页
        4.2.2 开关电路第57-58页
        4.2.3 电流异常判断电路第58-59页
        4.2.4 开关控制电路第59-60页
        4.2.5 自动恢复供电电路第60-62页
        4.2.6 整体电路第62-64页
    4.3 本章小结第64-65页
第5章 实验验证与分析第65-76页
    5.1 eMMC阵列存储访问控制测试验证第65-67页
        5.1.1 实验环境第65页
        5.1.2 eMMC读写功能及速度测试第65-67页
        5.1.3 eMMC阵列同步功能验证第67页
    5.2 单粒子翻转效应容错加固设计功能验证第67-71页
        5.2.1 实验环境第67-68页
        5.2.2 FIFO容错加固设计验证第68-71页
    5.3 单粒子闩锁效应防护电路功能及指标验证第71-75页
        5.3.1 实验环境及方法第71-72页
        5.3.2 功能测试结果及分析第72-73页
        5.3.3 指标测试结果及误差分析第73-75页
    5.4 本章小结第75-76页
结论第76-77页
参考文献第77-81页
附录第81-82页
攻读学位期间发表的学术论文及其他成果第82-84页
致谢第84页

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