| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 高压脉冲电源的背景和研究意义 | 第9-11页 |
| 1.1.1 课题背景 | 第9-10页 |
| 1.1.2 高压脉冲电源的应用 | 第10-11页 |
| 1.2 高压脉冲电源研究现状 | 第11-14页 |
| 1.3 开关管串联技术研究 | 第14-16页 |
| 1.3.1 开关管串联技术应用背景 | 第14-15页 |
| 1.3.2 开关管串联技术研究现状 | 第15-16页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 MOSFET的开关特性和串联均压分析 | 第18-29页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 MOSFET的开关特性 | 第18-23页 |
| 2.2.1 MOSFET导通过程工作特性分析 | 第18-21页 |
| 2.2.2 MOSFET关断过程工作特性分析 | 第21-23页 |
| 2.2.3 MOSFET参数对开关特性的影响 | 第23页 |
| 2.3 串联MOSFET电压不均衡机制分析 | 第23-28页 |
| 2.3.1 自身参数不一致对MOSFET均压影响 | 第23-25页 |
| 2.3.2 外部驱动信号不一致对MOSFET均压影响 | 第25-26页 |
| 2.3.3 电压不均衡机制分析 | 第26-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 高压电子开关的设计 | 第29-40页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 高压脉冲电路的设计 | 第29-39页 |
| 3.2.1 脉冲电路设计 | 第29-30页 |
| 3.2.2 驱动电路设计 | 第30-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 均压电路的研究 | 第40-47页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 RCD均压电路研究 | 第40-44页 |
| 4.2.1 缓冲电路研究 | 第40-42页 |
| 4.2.2 RCD网络钳位技术研究 | 第42-44页 |
| 4.3 有源电压控制（AVC）均压技术拓扑研究 | 第44-46页 |
| 4.3.1 有源电压控制方案的原理及设计 | 第44-45页 |
| 4.3.2 仿真分析 | 第45-46页 |
| 4.4 两种均压技术拓扑优缺点分析 | 第46页 |
| 4.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第5章 高压固态开关实验分析 | 第47-56页 |
| 5.1 引言 | 第47页 |
| 5.2 驱动环节实验研究 | 第47-48页 |
| 5.3 串联均压环节实验研究 | 第48-54页 |
| 5.3.1 改进前后电路对比实验 | 第48-49页 |
| 5.3.2 高压电子开关系统实验研究 | 第49-54页 |
| 5.4 高压电子开关的实验样机 | 第54-55页 |
| 5.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 致谢 | 第62页 |