本征石墨烯和Al掺杂石墨烯吸附H2S分子的密度泛函理论研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 石墨烯的结构 | 第10-11页 |
| 1.3 石墨烯的性质 | 第11-12页 |
| 1.4 石墨烯的制备 | 第12-15页 |
| 1.4.1 机械剥离法 | 第12-13页 |
| 1.4.2 氧化还原法 | 第13页 |
| 1.4.3 SiC外延生长法 | 第13-14页 |
| 1.4.4 化学气相沉积法（CVD） | 第14-15页 |
| 1.5 本文的主要内容 | 第15-17页 |
| 第二章 石墨烯中的缺陷和检测方法 | 第17-33页 |
| 2.1 晶体的缺陷 | 第17-20页 |
| 2.1.1 点缺陷 | 第17-18页 |
| 2.1.2 线缺陷 | 第18-19页 |
| 2.1.3 面缺陷和体缺陷 | 第19-20页 |
| 2.2 石墨烯中的缺陷 | 第20-22页 |
| 2.2.1 空位缺陷 | 第20-21页 |
| 2.2.2 拓扑缺陷 | 第21页 |
| 2.2.3 原子掺杂缺陷 | 第21-22页 |
| 2.3 石墨烯缺陷的形成 | 第22-24页 |
| 2.3.1 化学处理缺陷 | 第23页 |
| 2.3.2 高能粒子束轰击 | 第23-24页 |
| 2.3.3 晶体生长缺陷 | 第24页 |
| 2.4 石墨烯的表征手段 | 第24-31页 |
| 2.4.1 拉曼光谱 | 第25-27页 |
| 2.4.2 原子力显微镜（AFM） | 第27-28页 |
| 2.4.3 透射电子显微镜（TEM） | 第28-29页 |
| 2.4.4 扫描电子显微镜（SEM） | 第29-30页 |
| 2.4.5 红外光谱分析 | 第30-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 理论与计算方法 | 第33-45页 |
| 3.1 第一性原理介绍 | 第33页 |
| 3.2 波恩-奥本海默（BO）近似 | 第33-34页 |
| 3.3 Hartree近似 | 第34-35页 |
| 3.4 Hartree-Fork近似 | 第35-37页 |
| 3.5 密度泛函理论（DFT） | 第37-42页 |
| 3.5.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第38-39页 |
| 3.5.2 Kohn-Sham方程 | 第39-40页 |
| 3.5.3 局域密度近似（LDA） | 第40-41页 |
| 3.5.4 广义梯度近似（GGA） | 第41-42页 |
| 3.6 软件介绍 | 第42-43页 |
| 3.7 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 Al掺杂对石墨烯吸附H2S分子的影响 | 第45-59页 |
| 4.1 计算方法与模型 | 第45-52页 |
| 4.2 计算结果与讨论 | 第52-57页 |
| 4.2.1 吸附能与几何结构 | 第52-54页 |
| 4.2.2 电荷分析 | 第54-55页 |
| 4.2.3 轨道参数和分态密度图 | 第55-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 5.1 全文总结 | 第59-60页 |
| 5.2 本文的不足和展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第69页 |
