| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 ZnO的基本性质 | 第10-12页 |
| 1.3 AZO薄膜的研究进展 | 第12-19页 |
| 1.3.1 AZO薄膜的制备方法 | 第12-18页 |
| 1.3.2 AZO薄膜的性能 | 第18-19页 |
| 1.4 AZO薄膜的应用 | 第19-20页 |
| 1.5 本课题研究的目的及主要内容 | 第20-21页 |
| 第二章 实验方法 | 第21-27页 |
| 2.1 脉冲激光沉积 | 第21-23页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积原理 | 第21-22页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积设备 | 第22-23页 |
| 2.2 实验试剂及仪器 | 第23页 |
| 2.3 实验原料及薄膜生长工艺 | 第23-24页 |
| 2.3.1 AZO靶材的制备 | 第23页 |
| 2.3.2 玻璃衬底的清洗 | 第23-24页 |
| 2.3.3 PLD方法制备薄膜流程 | 第24页 |
| 2.4 性能表征 | 第24-27页 |
| 2.4.1 靶材及薄膜晶体结构的表征 | 第24-25页 |
| 2.4.2 薄膜表面形貌的表征 | 第25页 |
| 2.4.3 薄膜电学性能表征 | 第25-26页 |
| 2.4.4 薄膜光学性能表征 | 第26页 |
| 2.4.5 薄膜化学价态分析 | 第26-27页 |
| 第三章 AZO靶材制备及其质量对薄膜性能的影响 | 第27-43页 |
| 3.1 AZO靶材制备 | 第27-29页 |
| 3.2 靶材密度分析 | 第29-30页 |
| 3.3 靶材物相分析 | 第30-33页 |
| 3.4 不同烧结时间的靶材对薄膜性能的影响 | 第33-40页 |
| 3.4.1 不同烧结时间制备的靶材对薄膜结晶性的影响 | 第33-36页 |
| 3.4.2 不同烧结时间制备的靶材对薄膜电学性质的影响 | 第36-37页 |
| 3.4.3 不同烧结时间制备的靶材对薄膜光学性质的影响 | 第37-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-43页 |
| 第四章 不同沉积条件对AZO薄膜性能的影响 | 第43-71页 |
| 4.1 靶材中Al_2O_3掺杂量对薄膜性能的影响 | 第43-52页 |
| 4.1.1 靶材中Al_2O_3含量对AZO薄膜结晶性的影响 | 第43-45页 |
| 4.1.2 靶材中Al_2O_3含量对AZO薄膜的电学性能的影响 | 第45-49页 |
| 4.1.3 靶材中Al_2O_3含量对AZO薄膜的光学性能的影响 | 第49-52页 |
| 4.2 衬底温度对薄膜性能的影响 | 第52-62页 |
| 4.2.1 衬底温度对薄膜结晶性的影响 | 第53-57页 |
| 4.2.2 衬底温度对薄膜电学性能的影响 | 第57-58页 |
| 4.2.3 衬底温度对薄膜光学性能的影响 | 第58-62页 |
| 4.3 沉积时间对薄膜性能的影响 | 第62-68页 |
| 4.3.1 沉积时间对薄膜结晶性的影响 | 第62-65页 |
| 4.3.2 沉积时间对薄膜电学性能的影响 | 第65-66页 |
| 4.3.3 沉积时间对薄膜光学性能的影响 | 第66-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-71页 |
| 第五章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 5.1 本文总结 | 第71页 |
| 5.2 对今后工作的建议与展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 个人简历 | 第81-83页 |
| 攻读硕士学位期间的科研成果 | 第83页 |
