| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪言 | 第15-23页 |
| 1.1 太阳能电池简介 | 第15-17页 |
| 1.1.1 太阳能电池研究发展的背景 | 第15-16页 |
| 1.1.2 硅太阳能电池 | 第16-17页 |
| 1.1.3 纳米结构光伏材料在太阳能电池上的应用 | 第17页 |
| 1.2 黑硅在太阳能电池上的应用 | 第17-20页 |
| 1.2.1 黑硅的制备方法 | 第18-20页 |
| 1.2.2 黑硅的性能研究 | 第20页 |
| 1.3 半导体光电探测器简介 | 第20-21页 |
| 1.3.1 光电探测器的分类 | 第20-21页 |
| 1.3.2 PN结型光电探测器 | 第21页 |
| 1.4 本论文主要的研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 实验所用设备与药品 | 第23-29页 |
| 2.1 实验设备 | 第23-28页 |
| 2.1.1 纳米材料的合成设备 | 第23-24页 |
| 2.1.2 纳米材料的表征设备 | 第24-26页 |
| 2.1.3 器件的表征设备 | 第26-28页 |
| 2.2 实验所用药品 | 第28-29页 |
| 第三章 ZnSeNWs/Black Si异质结的制备及表征 | 第29-35页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 ZnSeNWs/Black Si异质结的制备和表征 | 第29-33页 |
| 3.2.1 黑硅的制备和表征 | 第29-31页 |
| 3.2.2 p型ZnSe：Sb纳米线的合成 | 第31-32页 |
| 3.2.3 ZnSe：Sb纳米线的表征 | 第32-33页 |
| 3.3 本章小结 | 第33-35页 |
| 第四章 ZnSeNWs/Black Si异质结器件的构建及电学表征 | 第35-43页 |
| 4.1 引言 | 第35页 |
| 4.2 ZnSeNWs/Black Si异质结器件的构建 | 第35-41页 |
| 4.2.1 多层石墨烯的合成和转移 | 第35-36页 |
| 4.2.2 制备ZnSeNWs/Black Si异质结器件 | 第36页 |
| 4.2.3 基于ZnSeNWs/Black Si异质结器件的电学表征 | 第36-41页 |
| 4.3 本章小结 | 第41-43页 |
| 第五章 Ag颗粒修饰的黑硅以及硅阵列与石墨烯肖特基结的制备及电学表征 | 第43-49页 |
| 5.1 引言 | 第43页 |
| 5.2 黑硅修饰银纳米颗粒后与石墨烯肖特基结器件的构造和电学表征 | 第43-45页 |
| 5.2.1 银纳米颗粒的合成 | 第43-44页 |
| 5.2.2 黑硅修饰银纳米颗粒 | 第44-45页 |
| 5.3 硅纳米阵列与石墨烯肖特基结器件的构造和电学表征 | 第45-47页 |
| 5.3.1 硅纳米阵列的刻蚀 | 第45-46页 |
| 5.3.2 硅纳米阵列的表征 | 第46页 |
| 5.3.3 硅纳米阵列与石墨烯肖特基结器件的电学表征 | 第46-47页 |
| 5.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第六章 全文总结 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 | 第56页 |
