| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第12-20页 |
| 1.1 研究的目的与意义 | 第12-13页 |
| 1.2 矩阵变换器发展状况 | 第13-17页 |
| 1.2.1 矩阵变换器分类和特点 | 第13-14页 |
| 1.2.2 矩阵变换器研究方向 | 第14-16页 |
| 1.2.3 矩阵变换器的发展空间 | 第16-17页 |
| 1.3 双向IGBT发展状况 | 第17-19页 |
| 1.3.1 双向绝缘栅双极晶体管的静态特性 | 第18-19页 |
| 1.3.2 向绝缘栅双极晶体管的动态特性 | 第19页 |
| 1.4 本文研究的主要内容 | 第19-20页 |
| 第2章 矩阵变换器仿真平台搭建 | 第20-41页 |
| 2.1 矩阵变换器的拓扑结构 | 第20页 |
| 2.2 矩阵变换器调制策略 | 第20-34页 |
| 2.2.1 开关函数算法 | 第21-24页 |
| 2.2.2 间接空间矢量调制 | 第24-30页 |
| 2.2.3 矩阵变换器SVPWM的MATLAB/Simulink仿真 | 第30-34页 |
| 2.3 矩阵变换器换流方法 | 第34-40页 |
| 2.3.1 双向开关换流基本原理 | 第34-35页 |
| 2.3.2 四步换流策略 | 第35-37页 |
| 2.3.3 四步换流策略下矩阵MATLAB/SimPowerSystems仿真 | 第37-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第3章 基于单芯片双门极IGBT的矩阵变换器四步换流策略研究 | 第41-54页 |
| 3.1 四步换流策略下矩阵变换器损耗计算 | 第41-46页 |
| 3.1.1 导通损耗分析 | 第44-45页 |
| 3.1.2 开关损耗分析 | 第45-46页 |
| 3.2 新型双电平四步换流策略下矩阵变换器损耗计算 | 第46-50页 |
| 3.2.1 导通功耗计算 | 第46-47页 |
| 3.2.2 开关功耗计算 | 第47-50页 |
| 3.3 实验平台搭建 | 第50-52页 |
| 3.3.1 主电路及其驱动电路 | 第50-51页 |
| 3.3.2 控制电路 | 第51-52页 |
3.3.3 U_A| 第52页 | |
| 3.4 影响四步换流策略下系统总损耗的其他因素 | 第52-53页 |
| 3.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第4章 基于单芯片双门极IGBT的矩阵变换器一步换流策略研究 | 第54-60页 |
| 4.1 一步换流策略下基于矩阵变换器损耗计算 | 第54-59页 |
| 4.1.1 导通损耗分析 | 第55-57页 |
| 4.1.2 开关损耗分析 | 第57-59页 |
| 4.2 影响一步换流策略下系统总损耗的其他因素 | 第59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 总结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 附录A 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第67页 |
| 参与及完成任务 | 第67页 |
