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Si和Ni在铸态铁素体球墨铸铁中作用的电子机理研究

摘要第4-6页
Abstract第6-8页
第1章 绪论第12-28页
    1.1 球墨铸铁组织与性能的试验研究第13-19页
    1.2 球墨铸铁的理论研究第19-27页
        1.2.1 合金元素在球墨铸铁基体中作用的电子机理第19-20页
        1.2.2 掺杂原子在球墨铸铁基体晶界中的偏析行为第20-22页
        1.2.3 球墨铸铁基体的位错芯区结构及滑移机理第22-26页
        1.2.4 改性碳纳米管的吸附性能第26-27页
    1.3 本文主要研究内容第27-28页
第2章 研究方法与研究过程第28-38页
    2.1 薛定谔方程第28-29页
    2.2 密度泛函理论第29-30页
    2.3 CASTEP程序第30-31页
    2.4 本文所采用的计算参数和能量参数第31-35页
        2.4.1 计算参数设置第31页
        2.4.2 能量参数第31-35页
    2.5 实验材料制备与方法第35-38页
        2.5.1 实验材料制备第35页
        2.5.2 冲击性能测试第35-36页
        2.5.3 组织观察及分析第36-38页
第3章 Si、Ni对铸态球墨铸铁基体组织的影响第38-60页
    3.1 Si、Ni在基体组织中的占位第38页
    3.2 Si、Ni对奥氏体稳定性的影响第38-45页
        3.2.1 Si、Ni在奥氏体中的占位与结合能计算第39-41页
        3.2.2 Si、Ni掺杂奥氏体的电子结构分析第41-45页
    3.3 Si、Ni对C在奥氏体中扩散能力的影响第45-48页
        3.3.1 C在奥氏体中的扩散激活能第45-46页
        3.3.2 成键分析第46-48页
    3.4 Si、Ni对渗碳体稳定性的影响第48-54页
        3.4.1 渗碳体原子结构第48-50页
        3.4.2 Si、Ni掺杂渗碳体的能量计算第50-51页
        3.4.3 Si、Ni掺杂渗碳体的电子结构第51-54页
    3.5 Si对C在奥氏体晶界偏聚的影响第54-57页
        3.5.1 C掺杂奥氏体晶界模型第55页
        3.5.2 Si影响C在奥氏体晶界偏聚的电子机理第55-57页
    3.6 分析与讨论第57-59页
    3.7 本章小结第59-60页
第4章 Si、Ni对铁素体力学性能的影响第60-75页
    4.1 Si、Ni对铁素体稳定性的影响第60-61页
    4.2 Si、Ni对铁素体弹性常数的影响第61-62页
    4.3 Si、Ni固溶强化铁素体的电子机理第62-66页
        4.3.1 态密度分析第63-64页
        4.3.2 Mulliken电荷数分析第64-66页
    4.4 Si、Ni对C在铁素体中稳定性的影响第66-69页
    4.5 Si、Ni对铁素体晶界结合强度的影响第69-74页
        4.5.1 铁素体晶界的建立第69-71页
        4.5.2 Si、Ni在晶界处的结合能第71-72页
        4.5.3 布居数与态密度分析第72-74页
    4.6 本章小结第74-75页
第5章 Si、Ni与铁素体中位错间的相互作用第75-91页
    5.1 铁素体中刃型位错芯区的构建第75-78页
        5.1.1 铁素体中位错的滑移面和滑移方向第75页
        5.1.2 铁素体中(010)[100]刃型位错芯区的构建第75-78页
    5.2 C、Si、Ni在铁素体中位错芯区的偏聚行为第78-83页
        5.2.1 能量计算第78-80页
        5.2.2 电子结构分析第80-83页
    5.3 Si对C原子在位错芯区偏聚行为的影响第83-85页
    5.4 实验分析第85-89页
    5.5 本章小结第89-91页
第6章 Si改性碳纳米管对Fe原子的吸附性第91-105页
    6.1 碳纳米管原子模型第91-92页
    6.2 碳纳米管对Fe原子的吸附能第92-94页
    6.3 Si改性碳纳米管原子模型第94-97页
    6.4 Si改性碳纳米管对Fe原子的吸附能第97-99页
    6.5 Si改性碳纳米管吸附模型的电子结构第99-101页
    6.6 变形作用对Fe原子吸附性能的影响第101-103页
    6.7 本章小结第103-105页
第7章 结论第105-107页
参考文献第107-114页
在学研究成果第114-115页
致谢第115页

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