摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第1章 绪论 | 第12-28页 |
1.1 球墨铸铁组织与性能的试验研究 | 第13-19页 |
1.2 球墨铸铁的理论研究 | 第19-27页 |
1.2.1 合金元素在球墨铸铁基体中作用的电子机理 | 第19-20页 |
1.2.2 掺杂原子在球墨铸铁基体晶界中的偏析行为 | 第20-22页 |
1.2.3 球墨铸铁基体的位错芯区结构及滑移机理 | 第22-26页 |
1.2.4 改性碳纳米管的吸附性能 | 第26-27页 |
1.3 本文主要研究内容 | 第27-28页 |
第2章 研究方法与研究过程 | 第28-38页 |
2.1 薛定谔方程 | 第28-29页 |
2.2 密度泛函理论 | 第29-30页 |
2.3 CASTEP程序 | 第30-31页 |
2.4 本文所采用的计算参数和能量参数 | 第31-35页 |
2.4.1 计算参数设置 | 第31页 |
2.4.2 能量参数 | 第31-35页 |
2.5 实验材料制备与方法 | 第35-38页 |
2.5.1 实验材料制备 | 第35页 |
2.5.2 冲击性能测试 | 第35-36页 |
2.5.3 组织观察及分析 | 第36-38页 |
第3章 Si、Ni对铸态球墨铸铁基体组织的影响 | 第38-60页 |
3.1 Si、Ni在基体组织中的占位 | 第38页 |
3.2 Si、Ni对奥氏体稳定性的影响 | 第38-45页 |
3.2.1 Si、Ni在奥氏体中的占位与结合能计算 | 第39-41页 |
3.2.2 Si、Ni掺杂奥氏体的电子结构分析 | 第41-45页 |
3.3 Si、Ni对C在奥氏体中扩散能力的影响 | 第45-48页 |
3.3.1 C在奥氏体中的扩散激活能 | 第45-46页 |
3.3.2 成键分析 | 第46-48页 |
3.4 Si、Ni对渗碳体稳定性的影响 | 第48-54页 |
3.4.1 渗碳体原子结构 | 第48-50页 |
3.4.2 Si、Ni掺杂渗碳体的能量计算 | 第50-51页 |
3.4.3 Si、Ni掺杂渗碳体的电子结构 | 第51-54页 |
3.5 Si对C在奥氏体晶界偏聚的影响 | 第54-57页 |
3.5.1 C掺杂奥氏体晶界模型 | 第55页 |
3.5.2 Si影响C在奥氏体晶界偏聚的电子机理 | 第55-57页 |
3.6 分析与讨论 | 第57-59页 |
3.7 本章小结 | 第59-60页 |
第4章 Si、Ni对铁素体力学性能的影响 | 第60-75页 |
4.1 Si、Ni对铁素体稳定性的影响 | 第60-61页 |
4.2 Si、Ni对铁素体弹性常数的影响 | 第61-62页 |
4.3 Si、Ni固溶强化铁素体的电子机理 | 第62-66页 |
4.3.1 态密度分析 | 第63-64页 |
4.3.2 Mulliken电荷数分析 | 第64-66页 |
4.4 Si、Ni对C在铁素体中稳定性的影响 | 第66-69页 |
4.5 Si、Ni对铁素体晶界结合强度的影响 | 第69-74页 |
4.5.1 铁素体晶界的建立 | 第69-71页 |
4.5.2 Si、Ni在晶界处的结合能 | 第71-72页 |
4.5.3 布居数与态密度分析 | 第72-74页 |
4.6 本章小结 | 第74-75页 |
第5章 Si、Ni与铁素体中位错间的相互作用 | 第75-91页 |
5.1 铁素体中刃型位错芯区的构建 | 第75-78页 |
5.1.1 铁素体中位错的滑移面和滑移方向 | 第75页 |
5.1.2 铁素体中(010)[100]刃型位错芯区的构建 | 第75-78页 |
5.2 C、Si、Ni在铁素体中位错芯区的偏聚行为 | 第78-83页 |
5.2.1 能量计算 | 第78-80页 |
5.2.2 电子结构分析 | 第80-83页 |
5.3 Si对C原子在位错芯区偏聚行为的影响 | 第83-85页 |
5.4 实验分析 | 第85-89页 |
5.5 本章小结 | 第89-91页 |
第6章 Si改性碳纳米管对Fe原子的吸附性 | 第91-105页 |
6.1 碳纳米管原子模型 | 第91-92页 |
6.2 碳纳米管对Fe原子的吸附能 | 第92-94页 |
6.3 Si改性碳纳米管原子模型 | 第94-97页 |
6.4 Si改性碳纳米管对Fe原子的吸附能 | 第97-99页 |
6.5 Si改性碳纳米管吸附模型的电子结构 | 第99-101页 |
6.6 变形作用对Fe原子吸附性能的影响 | 第101-103页 |
6.7 本章小结 | 第103-105页 |
第7章 结论 | 第105-107页 |
参考文献 | 第107-114页 |
在学研究成果 | 第114-115页 |
致谢 | 第115页 |