应用全息表征对光致聚合物机制的探究
摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4页 |
1 绪论 | 第7-16页 |
1.1 研究背景及意义 | 第7页 |
1.1.1 研究背景 | 第7页 |
1.1.2 研究意义 | 第7页 |
1.2 光存储技术的研究进展 | 第7-10页 |
1.2.1 光盘存储技术 | 第8页 |
1.2.2 近场光学存储技术 | 第8-9页 |
1.2.3 双光子、多波长、多阶存储技术 | 第9页 |
1.2.4 光全息存储 | 第9-10页 |
1.3 光全息存储技术的研究进展 | 第10-12页 |
1.3.1 全息技术的发展过程 | 第10页 |
1.3.2 全息存储技术的基本原理 | 第10-11页 |
1.3.3 全息存储技术的特点 | 第11-12页 |
1.4 光致聚合物全息材料的研究进展 | 第12-14页 |
1.4.1 国外的研究进展 | 第12-13页 |
1.4.2 国内的研究进展 | 第13-14页 |
1.5 本论文的研究内容 | 第14页 |
1.6 本章小结 | 第14-16页 |
2 光致聚合物的结构及光化学反应机制 | 第16-26页 |
2.1 光致聚合物材料的组成成分 | 第16页 |
2.2 光致聚合物材料的分类 | 第16-19页 |
2.2.1 丙烯酰胺基光致聚合物 | 第16-17页 |
2.2.2 丙烯酸酯基光致聚合物 | 第17-18页 |
2.2.3 烯基光致聚合物 | 第18-19页 |
2.2.4 环氧基光致聚合物 | 第19页 |
2.2.5 新型光致聚合物 | 第19页 |
2.3 全息光栅的形成机理及性能指标 | 第19-22页 |
2.3.1 全息光栅的形成原理 | 第19-20页 |
2.3.2 感光灵敏度 | 第20-21页 |
2.3.3 衍射效率 | 第21页 |
2.3.4 感光光谱范围 | 第21页 |
2.3.5 折射率变化 | 第21-22页 |
2.4 PVA/AA材料的制备 | 第22页 |
2.5 光化学反应机制 | 第22-25页 |
2.6 本章小结 | 第25-26页 |
3 模型的建立与求解 | 第26-33页 |
3.1 模型的建立 | 第26-28页 |
3.2 模型的求解 | 第28-31页 |
3.3 折射指数的计算 | 第31-32页 |
3.4 本章小结 | 第32-33页 |
4 模型输出与分析 | 第33-49页 |
4.1 实验拟合 | 第33-34页 |
4.2 材料中各组分浓度的时间响应变化 | 第34-39页 |
4.3 各种因素对材料全息性能的影响 | 第39-47页 |
4.4 本章小结 | 第47-49页 |
5 总结与展望 | 第49-51页 |
5.1 总结 | 第49页 |
5.2 展望 | 第49-51页 |
致谢 | 第51-52页 |
参考文献 | 第52-56页 |