低功耗、高精度音频数模转换器的设计与实现
| 致谢 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 缩略词表 | 第10-12页 |
| 目录 | 第12-16页 |
| 1 绪论 | 第16-22页 |
| ·课题背景及意义 | 第16-17页 |
| ·数模转换器的发展与现状 | 第17-19页 |
| ·本论文的主要工作 | 第19-20页 |
| ·论文的组织结构 | 第20-22页 |
| 2 数模转换器技术 | 第22-40页 |
| ·数模转换器的基本原理和类型 | 第22-24页 |
| ·数模转换器的基本原理 | 第22-23页 |
| ·数模转换器的类型 | 第23-24页 |
| ·数模转换器的静态参数 | 第24-27页 |
| ·满量程范围 | 第24页 |
| ·最小分辨率 | 第24-25页 |
| ·失调误差 | 第25页 |
| ·增益误差 | 第25页 |
| ·积分非线性 | 第25-26页 |
| ·微分非线性 | 第26页 |
| ·单调性 | 第26-27页 |
| ·静态功耗 | 第27页 |
| ·数模转换器的动态参数 | 第27-29页 |
| ·信噪比 | 第27页 |
| ·总谐波失真 | 第27页 |
| ·无杂散动态范围 | 第27-28页 |
| ·信噪失真比 | 第28页 |
| ·互调失真 | 第28页 |
| ·建立时间 | 第28-29页 |
| ·奈奎斯特率数模转换器 | 第29-32页 |
| ·电流源数模转换器 | 第29-30页 |
| ·电阻型数模转换器 | 第30-31页 |
| ·电容型数模转换器 | 第31-32页 |
| ·过采样数模转换器 | 第32-34页 |
| ·数模转换器的噪声和误差 | 第34-39页 |
| ·量化噪声 | 第34-36页 |
| ·时钟抖动噪声 | 第36-38页 |
| ·kT/C噪声 | 第38-39页 |
| ·误差机制 | 第39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 3 音频数模转换器的电路设计 | 第40-76页 |
| ·总体考虑和结构选择 | 第40-42页 |
| ·数字电路部分简介 | 第42-48页 |
| ·插值滤波器 | 第42-43页 |
| ·∑-△调制器 | 第43-45页 |
| ·数据加权平均 | 第45-48页 |
| ·模拟电路部分的结构 | 第48-50页 |
| ·数模接口电路的设计 | 第50-53页 |
| ·电平移位电路 | 第50-52页 |
| ·数据同步电路 | 第52-53页 |
| ·基准产生电路的设计 | 第53-58页 |
| ·带隙基准源 | 第54-57页 |
| ·误差放大器 | 第57页 |
| ·电压缓冲器 | 第57-58页 |
| ·开关电容DAC电路的设计 | 第58-70页 |
| ·时钟产生电路 | 第58-59页 |
| ·开关 | 第59-63页 |
| ·电容 | 第63-64页 |
| ·运算放大器 | 第64-69页 |
| ·开关电容DAC | 第69-70页 |
| ·低通滤波器的设计 | 第70-71页 |
| ·整体仿真与分析 | 第71-75页 |
| ·模拟电路部分整体仿真 | 第71-73页 |
| ·全芯片混合信号仿真 | 第73-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 4 版图设计与验证 | 第76-88页 |
| ·流片工艺介绍 | 第76-79页 |
| ·工艺中的器件 | 第76-77页 |
| ·工艺中的I/O单元 | 第77-78页 |
| ·主要工艺流程 | 第78-79页 |
| ·模拟部分电路的版图设计 | 第79-82页 |
| ·模拟电路部分版图的绘制 | 第79-81页 |
| ·模拟电路部分版图的验证 | 第81-82页 |
| ·芯片整体版图的设计 | 第82-85页 |
| ·可测性设计 | 第82-83页 |
| ·抗干扰设计 | 第83-84页 |
| ·数字版图与PAD布置 | 第84-85页 |
| ·全芯片数模混合LVS | 第85-86页 |
| ·网表的准备 | 第85页 |
| ·版图的准备及LVS设置 | 第85-86页 |
| ·本章小结 | 第86-88页 |
| 5 芯片的测试 | 第88-100页 |
| ·测试方案 | 第89页 |
| ·PCB设计 | 第89-92页 |
| ·测试向量的生成 | 第92-93页 |
| ·模拟部分的测试向量 | 第92页 |
| ·整体芯片的测试向量 | 第92-93页 |
| ·测试结果及分析 | 第93-98页 |
| ·带隙基准源的测试 | 第93-94页 |
| ·模拟电路部分的测试 | 第94-96页 |
| ·芯片整体的测试 | 第96-98页 |
| ·其他测试 | 第98页 |
| ·结论 | 第98-99页 |
| ·测试结果的总结 | 第98-99页 |
| ·测试结果分析与存在的问题 | 第99页 |
| ·本章小结 | 第99-100页 |
| 6 电路设计的改进 | 第100-110页 |
| ·高性能带隙基准源 | 第100-103页 |
| ·温度系数的高阶补偿 | 第100-102页 |
| ·电源抑制比的改善 | 第102页 |
| ·器件的修调 | 第102-103页 |
| ·片内参考电压的产生及其缓冲 | 第103-107页 |
| ·基于片上基准源产生参考电压 | 第103-105页 |
| ·使用电源和地作为参考电压 | 第105-107页 |
| ·低阈值电压MOS管及其应用 | 第107-109页 |
| ·低阈值电压MOS管 | 第107-108页 |
| ·低阈值电压CMOS开关 | 第108-109页 |
| ·本章小结 | 第109-110页 |
| 7 总结与展望 | 第110-112页 |
| ·总结 | 第110-111页 |
| ·展望 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-116页 |
| 作者简历及在学期间所取得的科研成果 | 第116页 |
| 作者简历 | 第116页 |
| 发表和录用的文章及专利 | 第116页 |
