强自旋轨道耦合体系的第一性原理研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| abstract | 第6-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-34页 |
| ·自旋轨道耦合 | 第16-17页 |
| ·5d过渡金属 | 第17-18页 |
| ·Slater金属绝缘体转变 | 第18-21页 |
| ·拓扑半金属 | 第21-32页 |
| ·Dirac半金属 | 第23-26页 |
| ·Weyl半金属 | 第26-28页 |
| ·node-line半金属 | 第28-32页 |
| ·本论文研究背景和主要内容 | 第32-34页 |
| 第二章 第一性原理方法介绍以及发展和应用 | 第34-52页 |
| ·第一性原理简介 | 第34-40页 |
| ·绝热近似 | 第34-35页 |
| ·Hartree-Fock近似 | 第35-36页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第36-37页 |
| ·交换关联泛函 | 第37-38页 |
| ·线性化缀加平面波方法(LAPW) | 第38-40页 |
| ·选择轨道加场方法 | 第40-48页 |
| ·lone-pair起源 | 第41-48页 |
| ·投影算符方法 | 第48-50页 |
| ·k·p微扰方法 | 第50-52页 |
| 第三章 三维Slater绝缘体 | 第52-60页 |
| ·实验结果 | 第52-54页 |
| ·理论研究 | 第54-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 第四章 三维拓扑Dirac半金属 | 第60-74页 |
| ·BaXBi(X=Au、Ag、Cu)的晶体结构 | 第60-61页 |
| ·BaAuBi的电子结构 | 第61-63页 |
| ·BaAuBi的低能有效哈密顿量 | 第63-65页 |
| ·BaAgBi以及BaCuBi的电子结构 | 第65-68页 |
| ·BaAgBi的低能有效哈密顿量 | 第68-70页 |
| ·Weyl半金属 | 第70-71页 |
| ·表面态 | 第71-72页 |
| ·小结 | 第72-74页 |
| 第五章 三维拓扑Weyl半金属 | 第74-80页 |
| ·NbP晶体结构与计算方法 | 第74-75页 |
| ·NbP的电子结构和表面态 | 第75-79页 |
| ·小结 | 第79-80页 |
| 第六章 拓扑Node-line半金属 | 第80-88页 |
| ·CaTe的晶体结构及计算方法 | 第80页 |
| ·CaTe的电子结构 | 第80-86页 |
| ·CaTe的表面态 | 第86-87页 |
| ·小结 | 第87-88页 |
| 第七章 总结与展望 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-100页 |
| 简历与科研成果 | 第100-103页 |
| 致谢 | 第103-105页 |
