| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-28页 |
| ·研究背景 | 第9-21页 |
| ·非线性光学材料的发展 | 第9-12页 |
| ·硼硅酸盐研究背景和研究现状 | 第12-17页 |
| ·硼锗酸盐研究背景和研究现状 | 第17-18页 |
| ·晶体的非线性光学性质 | 第18-19页 |
| ·四面体基元的复合硼酸盐非线性光学晶体的研究背景及现状 | 第19-21页 |
| ·基于密度泛函理论方法计算晶体材料的光学性质 | 第21-26页 |
| ·密度泛函理论简介 | 第21-24页 |
| ·倍频效应的计算理论及方法 | 第24-26页 |
| ·研究内容及意义 | 第26-28页 |
| ·研究内容 | 第26-27页 |
| ·研究意义 | 第27-28页 |
| 第二章 LaBRO_5 (R = Si, Ge)中硅锗四面体结构对硼酸盐晶体光学性质影响的第一性原理研究 | 第28-44页 |
| ·引言 | 第28-29页 |
| ·菱硼硅铈矿结构 | 第29-30页 |
| ·理论计算条件 | 第30页 |
| ·光学性质 | 第30-33页 |
| ·实验部分 | 第33-37页 |
| ·粉末多晶的合成 | 第33-34页 |
| ·粉末倍频测试 | 第34-35页 |
| ·单晶结构测试 | 第35-37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第三章 不同B：R (R = Si, Ge)的硼酸盐晶体中四面体对光学性质的积极响应——第一性原理研究 | 第44-61页 |
| ·引言 | 第44-46页 |
| ·计算条件与计算方法 | 第46-47页 |
| ·电子结构和线性光学性质 | 第46-47页 |
| ·非线性光学性质 | 第47页 |
| ·不同B/R比例下的阴离子基团框架 | 第47-49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-60页 |
| ·电子结构 | 第49-54页 |
| ·倍频响应的来源分析 | 第54-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 第四章 LiBGeO_4晶体的结构分析及阴离子基团对光学性质的响应机制研究 | 第61-76页 |
| ·引言 | 第61-62页 |
| ·LiBGeO_4的结构 | 第62-67页 |
| ·LiBGeO_4的结构—Fmm2空间群 | 第62-63页 |
| ·LiBGeO_4的结构—I(?)空间群 | 第63-64页 |
| ·LiBGeO_4晶体的合成 | 第64-66页 |
| ·单晶结构测试 | 第66-67页 |
| ·LiBGeO_4晶体结构的理论分析 | 第67-69页 |
| ·LiBGeO_4与BPO4的结构对比 | 第69-70页 |
| ·计算参数 | 第70-71页 |
| ·LiBGeO_4的电子结构与光学性质 | 第71-75页 |
| ·小结 | 第75-76页 |
| 第五章 总结与展望 | 第76-78页 |
| ·总结 | 第76-77页 |
| ·展望 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-87页 |
| 附录 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88-90页 |
