| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·集成电路互连线的发展 | 第9-12页 |
| ·集成电路互连线的两个重要发展阶段 | 第9-10页 |
| ·铜互连线的挑战 | 第10-12页 |
| ·碳纳米管的结构与特性 | 第12-15页 |
| ·碳纳米管的结构 | 第12-13页 |
| ·碳纳米管的力学特性 | 第13页 |
| ·碳纳米管的热学特性 | 第13-14页 |
| ·碳纳米管的电学特性 | 第14-15页 |
| ·碳纳米管的制备方法与生长机理 | 第15-16页 |
| ·碳纳米管的制备方法 | 第15页 |
| ·碳纳米管的生长机理 | 第15-16页 |
| ·碳纳米管应用于互连线的国内外研究现状 | 第16-18页 |
| ·本文主要的研究内容和意义 | 第18-20页 |
| 第二章 碳纳米管小孔径互连结构的制备及表征 | 第20-30页 |
| ·碳纳米管小孔径互连结构的制备流程 | 第20-22页 |
| ·制备样品所需的设备 | 第22-25页 |
| ·衬底的清洗和烘干设备 | 第22-23页 |
| ·磁控溅射及离子束溅射 | 第23-24页 |
| ·光刻胶及甩胶台 | 第24页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积 | 第24-25页 |
| ·聚焦离子束 | 第25页 |
| ·表征样品所需的设备 | 第25-30页 |
| ·光学显微镜 | 第26页 |
| ·台阶仪 | 第26-27页 |
| ·四探针测试仪 | 第27-28页 |
| ·原子力显微镜 | 第28页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第28-29页 |
| ·透射电子显微镜 | 第29页 |
| ·探针台和半导体参数分析仪 | 第29-30页 |
| 第三章 碳纳米管小孔径互连结构的形成及表征 | 第30-47页 |
| ·衬底的制备 | 第30页 |
| ·底电极的制备工艺 | 第30-34页 |
| ·介质层的制备工艺 | 第34-36页 |
| ·光刻胶薄膜的旋凃 | 第36-37页 |
| ·通孔的形成 | 第37-40页 |
| ·通孔内催化剂的制备 | 第40-41页 |
| ·催化剂的制备 | 第40-41页 |
| ·催化剂的 Lift-off 工艺 | 第41页 |
| ·介质通孔内碳纳米管的生长 | 第41-44页 |
| ·聚焦离子束对碳纳米管顶端的切割 | 第44-46页 |
| ·顶电极的形成 | 第46-47页 |
| 第四章 碳纳米管小孔径互连结构的电学测试及生长机理 | 第47-53页 |
| ·碳纳米管小孔径互连结构的电学测试 | 第48-51页 |
| ·不同的顶端切割方法对碳纳米管互连结构导电性能的影响 | 第48-49页 |
| ·不同孔径对碳纳米管互连结构导电性能的影响 | 第49-50页 |
| ·聚焦离子束切割碳纳米管顶端对其固有电阻率和接触电阻的影响 | 第50-51页 |
| ·碳纳米管在小孔径互连结构内的生长机理 | 第51-53页 |
| 第五章 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-62页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
