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II-VI半导体纳米晶的溶液化学合成与光电应用

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-6页
目录第6-9页
第一章 绪论第9-34页
   ·研究背景第9页
   ·太阳电池研究进展第9-16页
     ·太阳电池的工作原理第9-12页
     ·太阳电池的发展和分类第12-16页
   ·II-VI 化合物半导体第16-21页
     ·II-VI 化合物的晶体结构第16-17页
     ·纳米粒子的特性第17-19页
     ·CdSe 和CdTe 的应用第19-21页
   ·金属硒碲化合物纳米材料的合成第21-26页
     ·气相法第21-22页
     ·液相法第22-25页
     ·电化学沉积第25页
     ·其他辅助合成技术第25-26页
   ·纳米材料的液相合成原理第26-32页
     ·成核第27-28页
     ·生长第28-29页
     ·奥斯瓦尔德熟化(Ostwald Ripening)第29-30页
     ·取向连接(Oriented Attachment)第30页
     ·生长终止和粒子的分散稳定第30-31页
     ·晶粒的维度调控技术第31-32页
   ·问题的提出第32-33页
   ·主要创新点第33-34页
第二章 水溶液中合成CdSe 纳米晶第34-45页
   ·引言第34页
   ·实验部分第34-37页
     ·实验原料和设备第34-35页
     ·实验方案设计第35-36页
     ·实验过程第36-37页
     ·测试与表征第37页
   ·结果与讨论第37-44页
     ·络合剂对产物晶型的影响第37-40页
     ·前驱体溶液浓度的影响第40-41页
     ·Cd/Se 比例的影响第41-42页
     ·回流反应时间的影响第42-43页
     ·生长机理第43-44页
   ·本章小结第44-45页
第三章 多元醇溶剂中合成CdSe 纳米晶第45-72页
   ·引言第45页
   ·实验部分第45-50页
     ·实验原料和设备第45-46页
     ·CdSe 纳米晶的制备第46-47页
     ·实验方案设计第47-49页
     ·测试与表征第49-50页
   ·结果与讨论第50-71页
     ·EG 体系回流反应温度的影响第50-53页
     ·EG 体系回流反应时间的影响第53-56页
     ·EG 体系合成CdSe 的XPS 分析第56-58页
     ·EG 体系合成CdSe 的FT-IR 分析第58-59页
     ·多元醇合成CdSe 的化学反应第59页
     ·EG/Glycerin 体系成核温度的影响第59-62页
     ·EG/Glycerin 体系生长温度的影响第62-64页
     ·EG/Glycerin 体系多注程序的影响第64-70页
     ·EG/Glycerin 体系合成CdSe 的FT-IR 分析第70-71页
   ·本章小结第71-72页
第四章 水溶液中合成CdTe 纳米晶第72-91页
   ·引言第72-73页
   ·实验部分第73-76页
     ·实验原料和设备第73页
     ·CdTe 纳米晶的制备第73-74页
     ·实验方案设计第74-75页
     ·测试与表征第75-76页
   ·结果与讨论第76-90页
     ·CdTe 纳米晶的结构和形貌第76-78页
     ·前驱体浓度的影响第78-80页
     ·Cd/Te 比例的影响第80-81页
     ·LCS 浓度的影响第81-83页
     ·XPS 成分分析第83-84页
     ·红外光谱分析第84-85页
     ·化学反应第85-86页
     ·CdTe 纳米棒的生长机理第86-90页
   ·本章小结第90-91页
第五章 II-VI 半导体纳米晶的光伏应用第91-104页
   ·引言第91页
   ·实验部分第91-94页
     ·实验原料和设备第91-92页
     ·CdSe 敏化 TiO_2电池第92-93页
     ·CdTe-CdS 异质结构电池第93-94页
     ·CdTe-CdSe 异质结构电池第94页
   ·结果与讨论第94-103页
     ·CdSe-TiO_2的电极性能第94-96页
     ·CdTe-CdS 电池的性能第96-97页
     ·CdTe-CdSe 电池的能带结构和性能第97-103页
   ·本章小结第103-104页
第六章 结论第104-107页
参考文献第107-118页
发表论文和参加科研情况说明第118-120页
致谢第120页

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