摘要 | 第1-4页 |
ABSTRACT | 第4-6页 |
目录 | 第6-9页 |
第一章 绪论 | 第9-34页 |
·研究背景 | 第9页 |
·太阳电池研究进展 | 第9-16页 |
·太阳电池的工作原理 | 第9-12页 |
·太阳电池的发展和分类 | 第12-16页 |
·II-VI 化合物半导体 | 第16-21页 |
·II-VI 化合物的晶体结构 | 第16-17页 |
·纳米粒子的特性 | 第17-19页 |
·CdSe 和CdTe 的应用 | 第19-21页 |
·金属硒碲化合物纳米材料的合成 | 第21-26页 |
·气相法 | 第21-22页 |
·液相法 | 第22-25页 |
·电化学沉积 | 第25页 |
·其他辅助合成技术 | 第25-26页 |
·纳米材料的液相合成原理 | 第26-32页 |
·成核 | 第27-28页 |
·生长 | 第28-29页 |
·奥斯瓦尔德熟化(Ostwald Ripening) | 第29-30页 |
·取向连接(Oriented Attachment) | 第30页 |
·生长终止和粒子的分散稳定 | 第30-31页 |
·晶粒的维度调控技术 | 第31-32页 |
·问题的提出 | 第32-33页 |
·主要创新点 | 第33-34页 |
第二章 水溶液中合成CdSe 纳米晶 | 第34-45页 |
·引言 | 第34页 |
·实验部分 | 第34-37页 |
·实验原料和设备 | 第34-35页 |
·实验方案设计 | 第35-36页 |
·实验过程 | 第36-37页 |
·测试与表征 | 第37页 |
·结果与讨论 | 第37-44页 |
·络合剂对产物晶型的影响 | 第37-40页 |
·前驱体溶液浓度的影响 | 第40-41页 |
·Cd/Se 比例的影响 | 第41-42页 |
·回流反应时间的影响 | 第42-43页 |
·生长机理 | 第43-44页 |
·本章小结 | 第44-45页 |
第三章 多元醇溶剂中合成CdSe 纳米晶 | 第45-72页 |
·引言 | 第45页 |
·实验部分 | 第45-50页 |
·实验原料和设备 | 第45-46页 |
·CdSe 纳米晶的制备 | 第46-47页 |
·实验方案设计 | 第47-49页 |
·测试与表征 | 第49-50页 |
·结果与讨论 | 第50-71页 |
·EG 体系回流反应温度的影响 | 第50-53页 |
·EG 体系回流反应时间的影响 | 第53-56页 |
·EG 体系合成CdSe 的XPS 分析 | 第56-58页 |
·EG 体系合成CdSe 的FT-IR 分析 | 第58-59页 |
·多元醇合成CdSe 的化学反应 | 第59页 |
·EG/Glycerin 体系成核温度的影响 | 第59-62页 |
·EG/Glycerin 体系生长温度的影响 | 第62-64页 |
·EG/Glycerin 体系多注程序的影响 | 第64-70页 |
·EG/Glycerin 体系合成CdSe 的FT-IR 分析 | 第70-71页 |
·本章小结 | 第71-72页 |
第四章 水溶液中合成CdTe 纳米晶 | 第72-91页 |
·引言 | 第72-73页 |
·实验部分 | 第73-76页 |
·实验原料和设备 | 第73页 |
·CdTe 纳米晶的制备 | 第73-74页 |
·实验方案设计 | 第74-75页 |
·测试与表征 | 第75-76页 |
·结果与讨论 | 第76-90页 |
·CdTe 纳米晶的结构和形貌 | 第76-78页 |
·前驱体浓度的影响 | 第78-80页 |
·Cd/Te 比例的影响 | 第80-81页 |
·LCS 浓度的影响 | 第81-83页 |
·XPS 成分分析 | 第83-84页 |
·红外光谱分析 | 第84-85页 |
·化学反应 | 第85-86页 |
·CdTe 纳米棒的生长机理 | 第86-90页 |
·本章小结 | 第90-91页 |
第五章 II-VI 半导体纳米晶的光伏应用 | 第91-104页 |
·引言 | 第91页 |
·实验部分 | 第91-94页 |
·实验原料和设备 | 第91-92页 |
·CdSe 敏化 TiO_2电池 | 第92-93页 |
·CdTe-CdS 异质结构电池 | 第93-94页 |
·CdTe-CdSe 异质结构电池 | 第94页 |
·结果与讨论 | 第94-103页 |
·CdSe-TiO_2的电极性能 | 第94-96页 |
·CdTe-CdS 电池的性能 | 第96-97页 |
·CdTe-CdSe 电池的能带结构和性能 | 第97-103页 |
·本章小结 | 第103-104页 |
第六章 结论 | 第104-107页 |
参考文献 | 第107-118页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第118-120页 |
致谢 | 第120页 |