| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·半导体自旋电子学 | 第9-10页 |
| ·稀磁半导体 | 第10-16页 |
| ·稀磁半导体定义 | 第10-11页 |
| ·稀磁半导体研究意义 | 第11-12页 |
| ·磁性半导体研究进展 | 第12-13页 |
| ·稀磁半导体磁性起源 | 第13-16页 |
| ·本文工作 | 第16-17页 |
| 第二章 理论基础 | 第17-25页 |
| ·第一性原理计算方法 | 第17页 |
| ·密度泛函理论 | 第17-24页 |
| ·电子运动和离子运动分离 | 第18-19页 |
| ·Hartree-Fock近似 | 第19-21页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第21-23页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第23-24页 |
| ·材料模拟软件 | 第24-25页 |
| 第三章 4H-SiC的电子结构 | 第25-37页 |
| ·SiC简介 | 第25页 |
| ·纯4H-SiC的电子结构 | 第25-28页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第25-26页 |
| ·计算结果与讨论 | 第26-28页 |
| ·单个Al掺杂SiC的电子结构 | 第28-30页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第28-29页 |
| ·计算结果与讨论 | 第29-30页 |
| ·单个空位掺杂SiC的电子结构 | 第30-33页 |
| ·模型构建和计算方法 | 第30-31页 |
| ·计算结果与分析 | 第31-33页 |
| ·Al和空位共掺杂4H-SiC的电子结构 | 第33-36页 |
| ·模型构建和计算方法 | 第33-34页 |
| ·计算结果与分析 | 第34-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 第四章 过渡金属掺杂4H-SiC基稀磁半导体的电子结构 | 第37-50页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·单个过渡金属原子掺杂4H-SiC的电子结构 | 第37-43页 |
| ·模型的构建和计算方法 | 第37-38页 |
| ·计算结果与分析 | 第38-40页 |
| ·磁性的判断 | 第40-43页 |
| ·Al和过渡金属共掺杂4H-SiC的电子结构 | 第43-48页 |
| ·模型的构建和计算方法 | 第43页 |
| ·计算结果与分析 | 第43-46页 |
| ·磁性的判断 | 第46-48页 |
| ·两种电子结构的比较 | 第48-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 第五章 全文结论和展望 | 第50-51页 |
| ·全文结论 | 第50页 |
| ·展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55页 |