| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·GaN 材料的基本特性 | 第8-9页 |
| ·GaN 材料的基本结构 | 第8-9页 |
| ·GaN 材料的品质因数 | 第9页 |
| ·GaN 器件的应用研究 | 第9-11页 |
| ·PEDOT:PSS 的应用 | 第11-12页 |
| ·本论文的研究内容 | 第12-15页 |
| 第二章 肖特基接触结构的基本理论 | 第15-27页 |
| ·金属和半导体的接触 | 第15-17页 |
| ·肖特基势垒的形成 | 第17-22页 |
| ·Schotty-Mott 理论 | 第17-20页 |
| ·镜像力势垒下降 | 第20-22页 |
| ·隧穿效应 | 第22页 |
| ·肖特基接触的电流输运机制 | 第22-25页 |
| ·热电子发射理论 | 第22-24页 |
| ·扩散理论 | 第24页 |
| ·隧道电流的影响 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 GaN/PEDOT:PSS 肖特基二极管 | 第27-41页 |
| ·PEDOT:PSS 材料的基本性质 | 第27-28页 |
| ·PEDOT:PSS 薄膜的制备过程 | 第28-32页 |
| ·旋涂工艺 | 第28-29页 |
| ·GaN 表面预处理与薄膜制备 | 第29页 |
| ·预处理对薄膜的影响 | 第29-32页 |
| ·薄膜电阻率和厚度与转速的关系 | 第32-34页 |
| ·GaN/PEDOT:PSS 肖特基结 | 第34-39页 |
| ·GaN/PEDOT:PSS 肖特基二极管的基本结构 | 第34-35页 |
| ·GaN/PEDOT:PSS 的制备过程 | 第35-36页 |
| ·GaN/PEDOT:PSS 肖特基结的能带图 | 第36-37页 |
| ·GaN/PEDOT:PSS 的参数提取 | 第37-39页 |
| ·本章总结 | 第39-41页 |
| 第四章：GaN/PEDOT:PSS 肖特基结的实验结果 | 第41-57页 |
| ·半导体表面特性对肖特基接触的影响 | 第41-44页 |
| ·半导体界面态的引入机制 | 第41页 |
| ·界面态对肖特基接触影响的基本理论 | 第41-44页 |
| ·实验方案 | 第44页 |
| ·采用不同表面处理技术提高肖特基接触 I-V 特性 | 第44-52页 |
| ·氧气等离子处理对肖特基接触 I-V 特性的影响 | 第45-47页 |
| ·不同溶液处理对肖特基接触 I-V 特性的影响 | 第47-50页 |
| ·不同表面处理后理想因子参数的对比 | 第50-52页 |
| ·退火对 GaN/PEDOT:PSS 肖特基接触特性的影响研究 | 第52-54页 |
| ·本章总结 | 第54-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 研究成果 | 第67-68页 |
