一种基于高k薄膜场优化技术的高压LDMOS器件研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| ·功率半导体技术的发展 | 第8-10页 |
| ·BCD工艺技术的发展 | 第10-12页 |
| ·LDMOS功率器件的研究现状 | 第12-14页 |
| ·高介电常数薄膜的研究现状 | 第14-15页 |
| ·本文的主要工作 | 第15-17页 |
| 第二章 LDMOS器件特性分析及结终端技术介绍 | 第17-30页 |
| ·LDMOS器件的工作原理 | 第17页 |
| ·LDMOS器件的关键参数 | 第17-24页 |
| ·阈值电压V_T | 第18-19页 |
| ·开态饱和电流I_(sat) | 第19页 |
| ·导通电阻R_(on) | 第19-20页 |
| ·击穿电压BV | 第20-24页 |
| ·高k薄膜场优化技术和结终端技术 | 第24-29页 |
| ·高k薄膜场优化技术 | 第24-25页 |
| ·降低表面电场(RESURF)技术 | 第25-27页 |
| ·场板(Field Plate)技术 | 第27-28页 |
| ·场限环技术 | 第28页 |
| ·横向变掺杂技术 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 高k LDMOS器件的设计 | 第30-54页 |
| ·高k LDMOS器件结构设计 | 第30-31页 |
| ·高k LDMOS器件性能的仿真分析 | 第31-37页 |
| ·击穿电压BV对比分析 | 第32-36页 |
| ·正向导通特性对比分析 | 第36-37页 |
| ·LDMOS器件特性的影响因素分析 | 第37-49页 |
| ·漂移区长度对器件性能的影响 | 第37-39页 |
| ·漂移区结深对器件性能的影响 | 第39-42页 |
| ·介质层厚度对器件性能的影响 | 第42-46页 |
| ·高k薄膜介电常数对器件性能的影响 | 第46-47页 |
| ·场板长度对器件性能的影响 | 第47-49页 |
| ·高k LDMOS器件的温度特性 | 第49-53页 |
| ·LDMOS器件击穿电压受温度的影响 | 第50-51页 |
| ·LDMOS器件正向导通特性受温度的影响 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 高k LDMOS器件工艺实现的研究 | 第54-67页 |
| ·高k LDMOS制备工艺的特殊性 | 第54页 |
| ·高k LDMOS器件工艺设计 | 第54-58页 |
| ·高k薄膜的生长和刻蚀工艺 | 第58-66页 |
| ·薄膜生长和刻蚀工艺简要介绍 | 第58-59页 |
| ·PZT和BST薄膜的制备 | 第59-60页 |
| ·PZT薄膜湿法刻蚀工艺研究 | 第60-64页 |
| ·BST薄膜湿法刻蚀工艺研究 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 结论 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第73页 |
