| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 1 绪论 | 第9-21页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·非易失性存储器的种类 | 第9-11页 |
| ·阻变存储器的研究进展 | 第11-15页 |
| ·目前提出的几种 RRAM 机理 | 第15-20页 |
| ·导电细丝模型 | 第15-17页 |
| ·肖特基势垒模型 | 第17-18页 |
| ·空间电荷限制电流机制 | 第18-20页 |
| ·本文研究内容及意义 | 第20-21页 |
| 2 不同方法制备 TiO_2薄膜的阻变性能及其机理的研究 | 第21-28页 |
| ·选题思路 | 第21页 |
| ·实验 | 第21-23页 |
| ·薄膜的制备 | 第21-22页 |
| ·样品的表征与电性测量 | 第22-23页 |
| ·不同方法制备的 Ag/TiO_2/Pt 异质结的 I-V 特性及阻变机制的研究 | 第23-25页 |
| ·不同方法制备的 Ag/TiO_2/Pt 异质结的阻态保持性及疲劳性 | 第25-27页 |
| ·小结 | 第27-28页 |
| 3 Mg、Al 掺杂对 TiO_2薄膜阻变性能的影响及机理的研究 | 第28-37页 |
| ·选题思路 | 第28页 |
| ·Mg 掺杂 TiO_2薄膜阻变性能的研究 | 第28-34页 |
| ·实验 | 第28-30页 |
| ·不同掺杂量 Mgx:TiO_2薄膜的 I-V 特性及阻变机制的研究 | 第30-32页 |
| ·不同掺杂量 Mgx:TiO_2薄膜的阻态保持性与疲劳性 | 第32-34页 |
| ·小结 | 第34页 |
| ·Al 掺杂 TiO_2薄膜阻变性能的研究 | 第34-37页 |
| ·实验 | 第34-35页 |
| ·未掺杂与掺杂 Al:TiO_2薄膜样品的 I-V 特性及阻变机制的研究 | 第35页 |
| ·未掺杂与掺杂 Al:TiO_2薄膜样品的阻态保持性与疲劳性 | 第35-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 4 Ag 电极的生长温度对 Ag/TiO_2/Pt 异质结阻变性能的影响 | 第37-41页 |
| ·选题思路 | 第37页 |
| ·不同 Ag 电极生长温度的 Ag/TiO_2/Pt 异质结的 I-V 特性 | 第37-38页 |
| ·不同 Ag 电极生长温度的 Ag/TiO_2/Pt 异质结的阻态保持性与疲劳性 | 第38-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 5 结论与展望 | 第41-43页 |
| ·论文总结 | 第41页 |
| ·论文创新点 | 第41页 |
| ·未来工作的展望 | 第41-43页 |
| 参考文献 | 第43-50页 |
| 致谢 | 第50页 |
