SiC单晶生长设备加热系统设计及其仿真
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·SiC的晶体结构 | 第7-9页 |
| ·SiC晶体材料的特性、应用及现状分析 | 第9-11页 |
| ·本论文的意义 | 第11-13页 |
| 第二章 SiC晶体生长工艺对设备的基本要求 | 第13-19页 |
| ·SiC单晶体生长原理 | 第13-14页 |
| ·SiC单晶体生长工艺 | 第14-16页 |
| ·净化处理 | 第15页 |
| ·粉料烧结 | 第15页 |
| ·籽晶固定 | 第15页 |
| ·晶体生长 | 第15-16页 |
| ·设备主要技术规范 | 第16-17页 |
| ·设备主要配置与功用 | 第17-18页 |
| ·本章小结 | 第18-19页 |
| 第三章 加热系统的设计 | 第19-27页 |
| ·加热系统的总体设计 | 第19-20页 |
| ·感应加热的设计基础 | 第20-22页 |
| ·感应电势 | 第20-21页 |
| ·表面效应 | 第21页 |
| ·临近效应 | 第21-22页 |
| ·圆环效应 | 第22页 |
| ·感应加热系统的设计 | 第22-26页 |
| ·设计所需数据 | 第22页 |
| ·发热体的外径计算 | 第22-23页 |
| ·发热体壁厚与内径计算 | 第23页 |
| ·感应器内径计算 | 第23页 |
| ·保温材料和绝缘材料厚度计算 | 第23-24页 |
| ·发热体与和感应器高度计算 | 第24页 |
| ·感应电源功率计算 | 第24-25页 |
| ·感应器线圈匝数计算 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第四章 加热系统的仿真 | 第27-49页 |
| ·有限元法简介 | 第27-28页 |
| ·感应加热中电磁场的有限元分析 | 第28-29页 |
| ·电磁场在ANSYS软件中的计算方法 | 第29-30页 |
| ·Ansys多物理场耦合分析 | 第30-31页 |
| ·电磁分析模拟 | 第31-34页 |
| ·有限元几何模型 | 第31-33页 |
| ·定义求解域、施加载荷和边界条件 | 第33-34页 |
| ·电磁场数值模拟结果分析 | 第34-39页 |
| ·电流强度对电磁场分布的影响 | 第34-36页 |
| ·电流频率对电磁场分布的影响 | 第36-37页 |
| ·感应线圈间距对电磁场分布的影响 | 第37-39页 |
| ·生长腔内温度场的有限元分析 | 第39-48页 |
| ·热分析有限元模型的建立 | 第40-41页 |
| ·石墨坩埚模型对生长腔内温度场的影响 | 第41-43页 |
| ·石墨坩埚与线圈的相对位置对温度梯度的影响 | 第43-46页 |
| ·优化后的生长腔对温度场的影响 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 总结 | 第49-55页 |
| ·实际使用结果 | 第49-52页 |
| ·论文总结 | 第52页 |
| ·主要创新点 | 第52页 |
| ·对今后工作的设想 | 第52-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
