| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-12页 |
| 1-1 引言 | 第10-11页 |
| ·研究目的和内容 | 第11-12页 |
| 第2章 理论基础 | 第12-28页 |
| 2-1 下一代非挥发性存储器 | 第12-16页 |
| 2-1-1 铁电存储器(FeRAM) | 第12-13页 |
| 2-1-2 磁阻存储器(MRAM) | 第13-14页 |
| 2-1-3 相变存储器(PRAM) | 第14-15页 |
| 2-1-4 阻变存储器(RRAM) | 第15-16页 |
| 2-2 相变存储器概述 | 第16-21页 |
| 2-2-1 相变存储器(PRAM)的发展 | 第16-17页 |
| 2-2-2 相变化合金记录原理 | 第17-18页 |
| 2-2-3 奥弗辛斯基转换 | 第18-21页 |
| 2-3 漏电流机制 | 第21-27页 |
| 2-3-1 隧穿(Tunneling) | 第22-23页 |
| 2-3-2 热发射(Thermionic emission) | 第23-24页 |
| 2-3-3 欧姆导电(Ohmic conduction) | 第24-25页 |
| 2-3-4 离子导电(Ionic conduction) | 第25页 |
| 2-3-5 跳跃导电(Hopping conduction) | 第25-26页 |
| 2-3-6 波尔—弗兰克尔发射(Poole-Frenkle emission) | 第26-27页 |
| 2-3-7 空间电荷限制电流(Space charge limited current) | 第27页 |
| 2-4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 第一性原理计算研究 | 第28-42页 |
| 3-1 第一性原理计算简介 | 第28-29页 |
| 3-2 密度泛函理论 | 第29-30页 |
| 3-3 局部密度泛函近似(LDA) | 第30页 |
| 3-4 广义梯度近似(GGA) | 第30-31页 |
| 3-5 自洽场计算 | 第31-32页 |
| 3-6 赝势 | 第32-34页 |
| 3-7 计算结果与分析 | 第34-41页 |
| 3-7-1 参数选择与设定 | 第34-37页 |
| 3-7-2 能带结构和态密度分布 | 第37-40页 |
| 3-7-3 有效质量 | 第40-41页 |
| 3-8 本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 Ge_2Sb_2Te_5相变存储器导电模型 | 第42-60页 |
| 4-1 非晶态GST的导电机制 | 第42页 |
| 4-2 GST相变存储器亚阈值导电模型 | 第42-50页 |
| 4-2-1 模型推导 | 第43-45页 |
| 4-2-2 结果与分析 | 第45-50页 |
| 4-3 GST相变存储器闽值转换模型 | 第50-56页 |
| 4-3-1 模型推导 | 第50-53页 |
| 4-3-2 结果与分析 | 第53-56页 |
| 4-4 S型负微分电导成因探索 | 第56-57页 |
| 4-5 GST相变存储器阈值电压模型 | 第57-59页 |
| 4-6 本章小结 | 第59-60页 |
| 第5章 总结与展望 | 第60-63页 |
| 5-1 论文总结 | 第60页 |
| 5-2 相变存储器的前景 | 第60-62页 |
| 5-3 下一阶段的研究工作 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-71页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第71-72页 |
| 附录 | 第72-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
