Ta-Si-N表面生长中粒子迁移行为的第一性原理研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第8-31页 |
| ·Ti-Si-N 的研究概况 | 第8-11页 |
| ·Ti-Si-N 纳米复合薄膜的特点 | 第8页 |
| ·发展历程 | 第8-9页 |
| ·Ti-Si-N 的结构和成形机理 | 第9-10页 |
| ·研究的延伸 | 第10-11页 |
| ·TaN 和 Ta-Si-N 的研究概况 | 第11-24页 |
| ·TaN 和 Ta-Si-N 纳米复合薄膜 | 第11-14页 |
| ·发展历程 | 第14-22页 |
| ·TaN 和 Ta-Si-N 的结构和成形机理 | 第22-23页 |
| ·存在的问题 | 第23-24页 |
| ·纳米复合结构和制备工艺中的控制方法 | 第24-29页 |
| ·各种纳米复合结构 | 第24-25页 |
| ·制备方法和控制方法 | 第25-28页 |
| ·Ti-Si-N 类纳米复合结构控制方法分析 | 第28页 |
| ·小结 | 第28-29页 |
| ·本课题研究的概要 | 第29-31页 |
| 2 第一性原理计算介绍 | 第31-35页 |
| ·第一性原理方法 | 第31-32页 |
| ·VASP 软件包的使用 | 第32-33页 |
| ·采用第一性原理分析成形机理的必要性 | 第33-35页 |
| 3 Ta、Si、N 粒子迁移行为的第一性原理计算 | 第35-52页 |
| ·单粒子在 TaN（001）表面上的迁移行为研究 | 第35-43页 |
| ·预计算 | 第35-36页 |
| ·势能面计算 | 第36-39页 |
| ·迁移激活能计算 | 第39-43页 |
| ·双粒子在 TaN（001）表面的迁移行为研究 | 第43-47页 |
| ·吸附能和迁移激活能的计算 | 第43-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| ·单粒子Ta 绕岛的迁移行为研究 | 第47-52页 |
| ·吸附能和迁移激活能的计算 | 第47-49页 |
| ·小结 | 第49-52页 |
| 结论 | 第52-55页 |
| 参考文献 | 第55-62页 |
| 附录 | 第62-71页 |
| 索引 | 第71-75页 |
| 在学研究成果 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
