首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文

聚酰亚胺/介孔分子筛低介电常数复合薄膜的制备及性能研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-13页
第一章 绪论第13-34页
   ·引言第13-14页
   ·低k材料的基本特性第14-17页
     ·介电性能第14-16页
     ·热性能第16页
     ·其它性能第16-17页
   ·低介电常数材料的发展历史及现状第17-21页
   ·聚酰亚胺类低K材料第21-28页
     ·概述第21-23页
     ·含氟聚酰亚胺材料第23-26页
     ·聚酰亚胺无机杂化复合材料第26-27页
     ·聚酰亚胺多孔低k材料第27-28页
   ·MCM-41介孔分子筛第28-32页
     ·概述第28-29页
     ·介孔分子筛的合成方法第29-31页
     ·介孔分子筛的应用第31-32页
   ·本实验研究的目的和意义第32-34页
第二章 介孔分子筛MCM-41的制备、表征及改性第34-41页
   ·实验部分第34-35页
     ·主要原料第34页
     ·主要实验仪器及设备第34页
     ·主要分析测试仪器及测试方法第34-35页
   ·实验步骤第35页
     ·MCM-41的制备第35页
     ·MCM-41的改性第35页
   ·结果与讨论第35-40页
     ·MCM-41的结构形貌表征第35-37页
     ·KH550改性MCM-41及其表征第37-38页
     ·KH550改性MCM-41的机理第38-40页
   ·本章小结第40-41页
第三章 球磨搅拌工艺制备聚酰亚胺/介孔分子筛MCM-41复合薄膜及性能研究第41-59页
   ·引言第41-42页
   ·实验部分第42-44页
     ·主要原料第42页
     ·主要实验仪器及设备第42页
     ·主要分析测试仪器及测试方法第42页
     ·实验步骤第42-44页
   ·结果与讨论第44-57页
     ·PI/MCM-41复合薄膜的结构形貌第44-47页
     ·PI/MCM-41复合薄膜的介电常数、介电损耗与温度的关系第47-50页
     ·PI/MCM-41复合薄膜的介电常数、介电损耗与频率的关系第50-52页
     ·PI/MCM-41复合薄膜的介电常数、介电损耗与MCM-41含量的关系第52-54页
     ·PI/MCM-41复合薄膜的体积电阻率与MCM-41含量的关系第54-55页
     ·PI/MCM-41复合薄膜的击穿场强与MCM-41含量的关系第55-56页
     ·PI/MCM-41复合薄膜的热性能第56-57页
   ·本章小结第57-59页
第四章 原位法制备PI/MCM-41复合薄膜及其性能研究第59-67页
   ·实验部分第59-60页
     ·主要原料第59页
     ·主要实验仪器及设备第59页
     ·主要分析测试仪器及测试方法第59页
     ·PI/MCM-41复合薄膜的制备第59-60页
   ·结果与讨论第60-66页
     ·PI/MCM-41复合薄膜的形貌第60-61页
     ·PI/MCM-41复合薄膜的介电常数第61-62页
     ·PI/MCM-41复合薄膜的介电损耗第62-63页
     ·PI/MCM-41复合薄膜的体积电阻率第63-64页
     ·PI/MCM-41复合薄膜的击穿场强第64-66页
   ·本章小结第66-67页
第五章 结论第67-68页
参考文献第68-73页
致谢第73-74页
作者简介和攻读硕士学位期间的科研成果第74-75页
北京化工大学硕士研究生学位论文答辩委员会决议书第75-76页

论文共76页,点击 下载论文
上一篇:中国电解铝现货市场价格分析与实证研究
下一篇:燃料电池用改性Nafion膜的制备与表征