| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·本课题的来源、目的及研究的主要内容 | 第8页 |
| ·国内外研究现状 | 第8-10页 |
| ·本课题的研究意义 | 第10页 |
| ·论文的结构按排 | 第10-14页 |
| 第二章 SiGe 材料的基本特性 | 第14-22页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x合金的晶格和一般性质 | 第14-15页 |
| ·Si1-xGex合金的晶体结构: | 第15页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x合金的晶格失配和赝晶的临界厚度 | 第15-16页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x合金的能带和载流子 | 第16-18页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x合金中的载流子的迁移率 | 第18-19页 |
| ·应变 Si_(1-x)Ge_x合金中载流子的迁移率 | 第19-22页 |
| 第三章 薄膜材料及其应用 | 第22-28页 |
| ·非晶硅薄膜的基本性质 | 第22-23页 |
| ·非晶硅的原子结构 | 第22页 |
| ·非晶硅的能带结构 | 第22-23页 |
| ·非晶硅薄膜的基本特性 | 第23页 |
| ·多晶硅薄膜 | 第23-28页 |
| ·多晶硅的特点 | 第23-24页 |
| ·多晶硅薄膜的晶界和缺陷 | 第24页 |
| ·纳米多晶硅的基本特性 | 第24-28页 |
| 第四章 薄膜的制备工艺与表征 | 第28-38页 |
| ·分子束外延（MBE） | 第28-29页 |
| ·设备的基本构造 | 第28-29页 |
| ·分子束外延的原理及特点 | 第29页 |
| ·化学气相沉淀（CVD） | 第29-30页 |
| ·射频磁控溅射 | 第30-32页 |
| ·溅射现象 | 第30-31页 |
| ·溅射机理 | 第31页 |
| ·磁控溅射的工作原理 | 第31-32页 |
| ·薄膜材料的表征方法 | 第32-38页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第32-33页 |
| ·原子力电子显微镜 | 第33-35页 |
| ·拉曼光谱 | 第35页 |
| ·光致发光（PL） | 第35-38页 |
| 第五章 SiGe 异质结薄膜的制备与分析 | 第38-54页 |
| ·实验设备 | 第38-42页 |
| ·溅射特性 | 第38-40页 |
| ·Ge 薄膜的溅射 | 第40-42页 |
| ·薄膜的退火处理 | 第42页 |
| ·薄膜分析 | 第42-54页 |
| ·SEM 的基本原理 | 第42-48页 |
| ·Ge 膜的PL 分析 | 第48-51页 |
| ·Ge 膜的Raman 分析 | 第51-54页 |
| 结论与展望 | 第54-56页 |
| 1. 结论 | 第54-55页 |
| 2. 展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 攻读硕士期间所发表的论文 | 第62-63页 |