| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 论文的主要创新及贡献 | 第9-10页 |
| 物理量名称及符号表 | 第10-11页 |
| 目录 | 第11-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-33页 |
| ·研究背景和意义 | 第15-16页 |
| ·ZnO基压敏电阻陶瓷概述 | 第16-21页 |
| ·ZnO基压敏电阻陶瓷的显微结构 | 第16-17页 |
| ·ZnO基压敏电阻陶瓷的电学特性和导电机理 | 第17-20页 |
| ·Zno基压敏电阻陶瓷的烧结 | 第20-21页 |
| ·ZnO基压敏电阻的发展概况 | 第21-22页 |
| ·ZnO基压敏电阻的低压化 | 第22-24页 |
| ·ZnO基压敏电阻低压化的途径 | 第22-24页 |
| ·低压化对ZnO基压敏电阻陶瓷的要求 | 第24页 |
| ·ZnO基压敏电阻陶瓷的低温烧结 | 第24-27页 |
| ·研究内容和技术路线 | 第27-28页 |
| ·研究内容 | 第27-28页 |
| ·研究的技术路线 | 第28页 |
| 参考文献 | 第28-33页 |
| 第二章 实验方法 | 第33-39页 |
| ·陶瓷制备工艺 | 第33-34页 |
| ·单片及叠层片式压敏电阻试制 | 第34页 |
| ·原料粉体粒度分析 | 第34页 |
| ·陶瓷体积密度和线收缩率 | 第34-36页 |
| ·陶瓷的相组成分析 | 第36页 |
| ·陶瓷的显微形貌观察 | 第36页 |
| ·差热及热重分析 | 第36-37页 |
| ·压敏电阻的电流-电压(I-V)特性测试 | 第37页 |
| ·压敏电阻的电容-电压(C-V)特性测试 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第三章 低压ZnO压敏电阻陶瓷组分设计 | 第39-53页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·低压ZnO压敏电阻陶瓷的组分设计 | 第39-49页 |
| ·非线性形成元素 | 第40-43页 |
| ·非线性促进元素 | 第43-46页 |
| ·对显微组织形貌有调节作用的元素 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 第四章 V/Sb前驱体对ZnVSb基压敏电阻陶瓷的影响 | 第53-79页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·V/Sb前驱体的制备 | 第53-55页 |
| ·Sb掺杂形式对ZnVSb基压敏电阻陶瓷的影响 | 第55-67页 |
| ·样品制备 | 第55页 |
| ·Sb掺杂形式对ZnVSb陶瓷相组成的影响 | 第55-57页 |
| ·Sb掺杂形式对ZnVSb陶瓷中尖晶石相形成的影响 | 第57-62页 |
| ·Sb掺杂形式对ZnVSb陶瓷线收缩率及相对密度的影响 | 第62-63页 |
| ·Sb掺杂形式对ZnVSb陶瓷显微组织的影响 | 第63-64页 |
| ·Sb掺杂形式对ZnVSb陶瓷电学特性的影响 | 第64-67页 |
| ·V/Sb前驱体含量对ZnVSb基压敏电阻陶瓷的影响 | 第67-73页 |
| ·样品制备 | 第67页 |
| ·V/Sb前驱体含量对ZnVSb陶瓷相组成的影响 | 第67-68页 |
| ·V/Sb前驱体含量对ZnVSb陶瓷的线收缩率和相对密度的影响 | 第68-71页 |
| ·V/Sb前驱体含量对ZnVSb陶瓷的显微组织的影响 | 第71页 |
| ·V/Sb前驱体含量对ZnVSb陶瓷电学性能的影响 | 第71-73页 |
| ·烧结温度对V/Sb前驱体掺杂ZnVSb基压敏电阻陶瓷的影响 | 第73-76页 |
| ·烧结温度对V/Sb前驱体掺杂ZnVSb陶瓷相组成的影响 | 第73-74页 |
| ·烧结温度对V/Sb前驱体掺杂ZnVSb陶瓷显微组织的影响 | 第74-75页 |
| ·烧结温度对V/Sb前驱体掺杂ZnVsb陶瓷电学特性的影响 | 第75-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 第五章 尖晶石前驱体对ZnVSb基压敏电阻陶瓷的影响 | 第79-93页 |
| ·引言 | 第79-80页 |
| ·实验方法及过程 | 第80-81页 |
| ·ZnSb尖晶石相前驱体的制备 | 第80页 |
| ·样品制备 | 第80-81页 |
| ·尖晶石前驱体含量对ZnVSb陶瓷相组成的影响 | 第81-83页 |
| ·尖晶石前驱体含量对ZnVSb陶瓷相对密度的影响 | 第83-85页 |
| ·尖晶石前驱体含量对ZnVSb基压敏陶瓷显微组织的影响 | 第85-86页 |
| ·尖晶石前驱体含量对ZnVSb陶瓷电性能的影响 | 第86-88页 |
| ·尖晶石前驱体对ZnVSb陶瓷电性能影响的机理 | 第88-90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-93页 |
| 第六章 ZnVSb基压敏电阻陶瓷晶粒生长动力学研究 | 第93-106页 |
| ·引言 | 第93-94页 |
| ·样品制备 | 第94页 |
| ·相对密度 | 第94-95页 |
| ·晶粒生长动力学 | 第95-103页 |
| ·本章小结 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-106页 |
| 第七章 ZnVSb基片式压敏电阻试制 | 第106-126页 |
| ·引言 | 第106页 |
| ·试样制备 | 第106-107页 |
| ·流延工艺制备单片压敏电阻 | 第107-116页 |
| ·单片压敏电阻样品的翘曲及解决方案 | 第107-110页 |
| ·烧结工艺对单片压敏电阻陶瓷相对密度的影响 | 第110-111页 |
| ·单片压敏电阻样品的显微组织形貌 | 第111-113页 |
| ·单片压敏电阻试样的电性能 | 第113-116页 |
| ·Ag内电极/ZnVSb陶瓷叠层共烧行为的研究 | 第116-124页 |
| ·Ag/ZnVSb叠层共烧体的相组成 | 第116-117页 |
| ·Ag/ZnVSb叠层共烧体的显微组织 | 第117-121页 |
| ·Ag/ZnVSb叠层共烧体中的离子扩散行为 | 第121-124页 |
| ·本章小结 | 第124页 |
| 参考文献 | 第124-126页 |
| 第八章 全文的主要结论及对进一步研究工作的建议 | 第126-129页 |
| ·全文主要结论 | 第126-127页 |
| ·对进一步工作的建议 | 第127-129页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文及申请的专利 | 第129-131页 |
| 致谢 | 第131-132页 |
