氢化纳米硅薄膜的光学常数和室温可见发光研究
| 中文摘要 | 第1-8页 |
| 英文摘要 | 第8-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-22页 |
| ·研究背景和现状 | 第15-17页 |
| ·本文的主要工作 | 第17-20页 |
| 参考文献 | 第20-22页 |
| 第二章 纳米硅薄膜的制备、表征和器件应用 | 第22-57页 |
| ·硅基材料的分类 | 第22-24页 |
| ·纳米硅的制备方法 | 第24-30页 |
| ·氢化纳米硅薄膜的生长机制 | 第30-38页 |
| ·宏观和微观的生长机制 | 第31-36页 |
| ·氢的晶化和非晶化作用 | 第36-38页 |
| ·纳米硅的物性表征分析手段 | 第38-46页 |
| ·微观结构表征 | 第38-44页 |
| ·光学性质表征 | 第44-46页 |
| ·电学性质表征 | 第46页 |
| ·氢化纳米硅的电学输运机制 | 第46-48页 |
| ·基于纳米硅的光电器件应用 | 第48-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 第三章 氢化纳米硅薄膜的光学常数 | 第57-119页 |
| ·半导体光学常数的提取方法 | 第57-70页 |
| ·直接法 | 第59-62页 |
| ·间接法 | 第62-70页 |
| ·包络法 | 第62-67页 |
| ·经验公式法 | 第67-68页 |
| ·介电函数模型 | 第68-69页 |
| ·有效介质近似 | 第69-70页 |
| ·包络法提取nc-Si:H 常温光学常数 | 第70-79页 |
| ·介电函数模型提取nc-Si:H 光学常数 | 第79-102页 |
| ·nc-Si:H 变温带间光学性质 | 第79-95页 |
| ·nc-Si:H 带隙以下光学性质 | 第95-102页 |
| ·用于纳米硅的两个介电函数模型的特点和用法 | 第102-113页 |
| ·Forouhi-Bloomer (FB)模型 | 第103-105页 |
| ·Tauc-Lorentz (TL)模型 | 第105-112页 |
| ·对FB 和TL 模型总的看法 | 第112-113页 |
| ·本章小结 | 第113-114页 |
| 参考文献 | 第114-119页 |
| 第四章 氢化纳米硅薄膜的室温可见发光 | 第119-142页 |
| ·纳米硅或多孔硅的发光机制或模型 | 第119-126页 |
| ·量子限制模型 | 第119-120页 |
| ·表面态模型 | 第120页 |
| ·量子限制发光中心模型 | 第120页 |
| ·氢化非晶硅模型 | 第120-121页 |
| ·表面氢化物发光 | 第121页 |
| ·缺陷发光 | 第121页 |
| ·Islam-Kumar 模型 | 第121-126页 |
| ·n 型氢化纳米硅薄膜的室温可见发光 | 第126-134页 |
| ·p 型氢化纳米硅薄膜的室温可见发光 | 第134-139页 |
| ·本章小结 | 第139-140页 |
| 参考文献 | 第140-142页 |
| 第五章 总结 | 第142-145页 |
| ·本文的主要结论和创新点 | 第142-144页 |
| ·下一步的工作及展望 | 第144-145页 |
| 致谢 | 第145-146页 |
| 硕博连读期间已发表文章、申请专利和获得奖励 | 第146-149页 |
