垂直腔半导体光放大器增益饱和及波长双稳特性的研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-8页
第1章 绪论	第8-14页
·引言	第8页
·VCSOA的发展	第8-10页
·VCSOA的结构及特点	第10-11页
·VCSOA主要理论模型	第11-12页
·本文研究工作	第12-14页
第2章 理论基础	第14-24页
·引言	第14页
·DBR等效反射率	第14-16页
·修正后的F-P腔边界条件	第16-18页
·修正后的增益公式	第18-20页
·有源腔内平均光子浓度	第20-23页
·小结	第23-24页
第3章 VCSOA增益饱和特性分析	第24-37页
·引言	第24页
·数值分析模型主要参数	第24-26页
·影响VCSOA增益饱和特性的因素	第26-36页
·有源腔截面积对VCSOA增益饱和特性的影响	第26-29页
·DBR端面周期对VCSOA增益饱和特性的影响	第29-33页
·泵浦电流密度对VCSOA增益饱和特性的影响	第33-34页
·自发辐射因子对VCSOA增益饱和特性的影响	第34-36页
·小结	第36-37页
第4章 VCSOA波长双稳特性分析	第37-46页
·引言	第37页
·VCSOA波长双稳特性的产生原因	第37-41页
·影响VCSOA波长双稳环宽度因素分析	第41-44页
·泵浦电流密度对VCSOA波长双稳环宽度的影响	第41-42页
·顶层端面反射率对VCSOA波长双稳环宽度的影响	第42-43页
·输入光功率对VCSOA波长双稳环宽度的影响	第43-44页
·小结	第44-46页
结论	第46-48页
致谢	第48-49页
参考文献	第49-53页
攻读硕士学位期间发表论文	第53页