GaAs衬底共振隧穿二极管的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1-1 课题研究的意义 | 第9页 |
| 1-2 RTD 的研究历史与现状 | 第9-11页 |
| 1-2-1 RTD 研究历史 | 第9-10页 |
| 1-2-2 RTD 的器件结构和材料 | 第10-11页 |
| 1-2-3 RTD 的应用 | 第11页 |
| 1-3 研究的主要内容 | 第11-13页 |
| 第二章 RTD 理论 | 第13-24页 |
| 2-1 RTD 能带结构和隧穿效应 | 第13-18页 |
| 2-2 RTD 工作原理 | 第18-19页 |
| 2-3 RTD 的电流分析 | 第19-21页 |
| 2-4 RTD标准化的等效电路模型 | 第21-24页 |
| 第三章 RTD 层结构的设计、生长与测试分析 | 第24-45页 |
| 3-1 分子束外延 | 第24-28页 |
| 3-1-1 固态MBE 生长设备 | 第25-26页 |
| 3-1-2 MBE 的动力学模型 | 第26-27页 |
| 3-1-3 生长热力学与局部平衡态 | 第27-28页 |
| 3-2 RTD 材料设计与生长 | 第28-34页 |
| 3-2-1 RTD 材料设计 | 第28-31页 |
| 3-2-2 RTD材料的生长 | 第31-34页 |
| 3-3 RTD 材料的X射线双晶衍射测试和模拟 | 第34-36页 |
| 3-4 RTD 生长工艺的优化 | 第36-45页 |
| 3-4-1 RTD生长工艺优化和结构设计 | 第36-38页 |
| 3-4-2 改进工艺的 RTD 材料生长 | 第38-39页 |
| 3-4-3 RTD结构材料的测试 | 第39-45页 |
| 第四章 RTD器件的制备与测试分析 | 第45-52页 |
| 4-1 RTD 版图与器件工艺设计 | 第45-47页 |
| 4-1-1 RTD 器件工艺设计 | 第45-46页 |
| 4-1-2 RTD 版图设计 | 第46-47页 |
| 4-2 RTD 直流 I-V 特性测试与分析 | 第47-52页 |
| 第五章 RTD 的应用和发展前景 | 第52-61页 |
| 5-1 RTD构成单元电路 | 第52-57页 |
| 5-2 RTD 的其它应用 | 第57-60页 |
| 5-3 RTD存在的问题和发展趋势 | 第60-61页 |
| 第六章 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第67页 |
