| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-8页 |
| 第一章绪论 | 第8-16页 |
| ·论文研究背景 | 第8-10页 |
| ·纳米科技与纳米材料 | 第8页 |
| ·SiC材料的特点和应用 | 第8-10页 |
| ·模板法制备纳米材料及其优点 | 第10-11页 |
| ·常用的模板合成方法 | 第11-13页 |
| ·本论文主要研究内容和意义 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-16页 |
| 第二章 宽禁带半导体SiC的结构、性质和应用 | 第16-24页 |
| ·SiC结构 | 第16-17页 |
| ·SiC材料的基本性质 | 第17-20页 |
| ·SiC的硬度和耐磨性 | 第17-18页 |
| ·SiC的化学性质 | 第18页 |
| ·SiC的电学性质 | 第18-19页 |
| ·光学性质 | 第19页 |
| ·SiC的热稳定性 | 第19-20页 |
| ·掺杂物 | 第20页 |
| ·SiC材料的应用 | 第20-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 参考文献 | 第23-24页 |
| 第三章 实验方法 | 第24-37页 |
| ·SiC材料的体晶生长 | 第24页 |
| ·SiC材料的薄膜生长 | 第24-27页 |
| ·液相外延(LPE)生长 | 第24-25页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第25页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第25-26页 |
| ·射频溅射法(RF sputtering) | 第26-27页 |
| ·本研究试验仪器及SiC薄膜的制备条件 | 第27-28页 |
| ·薄膜结构和组成的分析测试方法 | 第28-34页 |
| ·X射线衍射分析(XRD) | 第28-29页 |
| ·扫描电镜分析(SEM) | 第29-30页 |
| ·原子力显微镜AFM | 第30-31页 |
| ·用荧光分光光度计测量SiC薄膜的光致发光 | 第31-33页 |
| ·拉曼光谱(Raman)分析 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-37页 |
| 第四章 阳极氧化铝模板的制备和有序性研究 | 第37-52页 |
| ·多孔阳极氧化铝(AAO)的制备工艺 | 第37-41页 |
| ·AAO膜孔自组织有序排列的机理分析 | 第41-44页 |
| ·实验结果与讨论 | 第44-49页 |
| ·制备条件对AAO模板结构的影响 | 第44-46页 |
| ·AAO及通孔AAO的结构和性质 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第五章 AAO薄膜的发光特性和在其模板上制备低维的SiC材料 | 第52-64页 |
| ·草酸AAO模板光致发光的机制 | 第53-54页 |
| ·AAO模板的光致发光 | 第54-58页 |
| ·在AAO模板上制备低维的SiC材料 | 第58-62页 |
| ·实验条件 | 第58页 |
| ·非通孔AAO上形成的低维SiC材料的结构 | 第58-59页 |
| ·通孔AAO上形成的低维SiC材料的结构 | 第59-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 第六章 结论与展望 | 第64-66页 |
| ·主要结论 | 第64-65页 |
| ·展望 | 第65-66页 |
| 硕士研究生期间发表的论文情况 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |