| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-27页 |
| ·非易失性半导体存储器技术的发展 | 第9-15页 |
| ·从ROM到EPROM | 第9-10页 |
| ·从EPROM到EEPROM | 第10-11页 |
| ·从EEPROM到Flash Memory | 第11-15页 |
| ·分栅闪存器件简介 | 第15-24页 |
| ·器件结构 | 第15-17页 |
| ·器件原理 | 第17-21页 |
| ·芯片制造 | 第21-22页 |
| ·芯片测试 | 第22-24页 |
| ·本论文的工作 | 第24-27页 |
| ·工作背景分析 | 第24-25页 |
| ·工作内容简介 | 第25-27页 |
| 第二章 分栅闪存器件的实用双栅器件模型 | 第27-46页 |
| ·研究现状综述 | 第27-31页 |
| ·源端热电子注入编程技术 | 第27-29页 |
| ·F-N电子隧穿擦除技术 | 第29-31页 |
| ·实用双栅器件模型 | 第31-40页 |
| ·耦合系数与浮栅电位 | 第31-33页 |
| ·浮栅动态擦除方程 | 第33-35页 |
| ·计算参数的测量与确定 | 第35-37页 |
| ·实用双栅器件模型的验证 | 第37-40页 |
| ·浮栅尖端隧穿辅助结构研究 | 第40-45页 |
| ·浮栅尖端隧穿辅助结构的形成 | 第40-42页 |
| ·尖端辅助F-N电子隧穿 | 第42-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第三章 分栅闪存器件生产工艺改进研究 | 第46-63页 |
| ·HTO沉积薄膜平坦化 | 第46-54页 |
| ·HTO薄膜沉积工艺简介 | 第46-47页 |
| ·隧穿薄膜厚度波动现象分析 | 第47-49页 |
| ·利用ISSG退火技术实现HTO沉积薄膜平坦化 | 第49-54页 |
| ·隧穿氧化层N_2O退火工艺优化 | 第54-61页 |
| ·束缚电荷简介 | 第54-55页 |
| ·N_2O快速热退火工艺简介 | 第55-57页 |
| ·N_2O退火氮掺杂工艺改进 | 第57-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 分栅闪存器件尺寸缩小与性能改进研究 | 第63-77页 |
| ·浮栅耗尽效应研究 | 第63-69页 |
| ·浮栅简并掺杂讨论 | 第63-66页 |
| ·浮栅末端反型掺杂技术 | 第66-69页 |
| ·分栅闪存器件尺寸缩小研究 | 第69-75页 |
| ·器件尺寸缩小效应 | 第69-72页 |
| ·耦合氧化层氮掺杂工艺 | 第72-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 第五章 综述 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-87页 |
| 附录1 Quantox氧化薄膜电学参数即时测量技术 | 第87-89页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文目录 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90-92页 |
| 个人简历 | 第92-93页 |
| 学位论文独创性声明 | 第93页 |
| 学位论文使用授权声明 | 第93页 |