| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-10页 |
| 第二章 文献综述 | 第10-29页 |
| ·ZnO的结构与性能 | 第10-12页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第10-11页 |
| ·ZnO的光电性质 | 第11-12页 |
| ·ZnO的缺陷与掺杂 | 第12-20页 |
| ·ZnO中的本征缺陷 | 第13-14页 |
| ·ZnO中的非故意掺杂 | 第14页 |
| ·ZnO的n型掺杂 | 第14-15页 |
| ·ZnO的p型掺杂 | 第15-20页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO三元合金及其p型掺杂研究进展 | 第20-27页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO三元合金的结构 | 第20页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO三元合金的应用与研究现状 | 第20-23页 |
| ·Zn_xMg_(1-x)O薄膜及其p型掺杂的研究现状 | 第23-27页 |
| ·立题背景目的主要研究内容 | 第27-29页 |
| 第三章 实验设备、过程及性能评价方法 | 第29-35页 |
| ·直流反应磁控溅射(DCRMS)方法简介 | 第29-31页 |
| ·实验过程 | 第31-33页 |
| ·靶材的制备 | 第31页 |
| ·衬底的准备与清洗 | 第31-32页 |
| ·直流反应磁控溅射制备ZnO薄膜的过程 | 第32-33页 |
| ·几个实验中基本参数的控制及其影响 | 第33-34页 |
| ·靶基距 | 第33-34页 |
| ·溅射功率 | 第34页 |
| ·性能表征 | 第34-35页 |
| 第四章 Zn_(1-x)Mg_xO三元合金薄膜 | 第35-44页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO三元合金薄膜的制备 | 第35-36页 |
| ·Mg含量对薄膜性质的影响 | 第36-40页 |
| ·Mg含量对薄膜晶体取向性的影响 | 第36-37页 |
| ·Mg含量对薄膜表面形貌的影响 | 第37-39页 |
| ·Mg含量对薄膜光学性能的影响 | 第39-40页 |
| ·衬底温度对薄膜性质的影响 | 第40-42页 |
| ·衬底温度对薄膜晶体取向性的影响 | 第40-41页 |
| ·衬底温度对薄膜表面形貌的影响 | 第41-42页 |
| ·小结 | 第42-44页 |
| 第五章 Al-N共掺法制备p型Zn_(1-x)Mg_xO薄膜 | 第44-53页 |
| ·直流磁控溅射制备Al-N共掺p-Zn_(0.9)Mg_(0.1)O薄膜 | 第44-45页 |
| ·施主杂质Al与受主杂质N对共掺Zn_(0.9)Mg_(0.1)O薄膜性能的影响 | 第45-48页 |
| ·N、Al掺入对薄膜晶体取向的影响 | 第45-46页 |
| ·N、Al掺入对薄膜表面形貌的影响 | 第46页 |
| ·N、Al掺入对薄膜光学性能的影响 | 第46-47页 |
| ·单一掺N和Al-N共掺薄膜的电学性能比较 | 第47-48页 |
| ·衬底温度对Al-N共掺Zn_(0.9)Mg_(0.1)O薄膜电学性能的影响 | 第48-52页 |
| ·衬底温度对薄膜载流子浓度的影响 | 第49-50页 |
| ·衬底温度对薄膜霍尔迁移率的影响 | 第50页 |
| ·衬底温度对薄膜电阻率的影响 | 第50-51页 |
| ·衬底温度对薄膜导电类型影响的探讨 | 第51-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第六章 In-N共掺制备p型ZnO薄膜 | 第53-59页 |
| ·In-N共掺制备p型ZnO薄膜 | 第53-54页 |
| ·单一掺N与In-N共掺薄膜性能比较 | 第54-56页 |
| ·两种薄膜晶体质量与表面形貌对比 | 第54-55页 |
| ·两种薄膜的电学性能对比 | 第55-56页 |
| ·衬底温度对共掺薄膜的影响 | 第56-57页 |
| ·不同衬底对薄膜电学性能的影响 | 第57-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第七章 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-67页 |
| 攻读硕士学位期间的发表或被录用的论文 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
