| 摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-13页 |
| 1．1 引言 | 第7页 |
| 1．2 半导体气敏元件的应用 | 第7-8页 |
| 1．3 传统气敏材料的不足 | 第8-9页 |
| 1．4 气体传感器存在的问题以及发展趋势 | 第9-11页 |
| 1．5 本课题研究的内容及意义 | 第11-13页 |
| 2 金属氧化物气敏材料制备方法研究及进展 | 第13-20页 |
| 2．1 化学共沉淀法 | 第13-14页 |
| 2．1．1 单相化学共沉淀 | 第13页 |
| 2．1．2 混合物化学共沉淀 | 第13-14页 |
| 2．2 均匀沉淀法 | 第14-15页 |
| 2．3 金属醇盐水解法 | 第15页 |
| 2．3．1 复合醇盐法 | 第15页 |
| 2．3．2 金属醇盐混合溶液 | 第15页 |
| 2．4 溶剂挥发分解法 | 第15页 |
| 2．5 溶胶凝胶法 | 第15-17页 |
| 2．6 水热法及溶剂热法 | 第17页 |
| 2．7 微乳液法 | 第17-18页 |
| 2．8 溅射法 | 第18页 |
| 2．9 室温固相反应法 | 第18-19页 |
| 2．10 本章小结 | 第19-20页 |
| 3 气敏元件制作、性能测试及工作原理 | 第20-33页 |
| 3．1 引言 | 第20-21页 |
| 3．2 主要实验仪器和设备 | 第21页 |
| 3．3 气敏元件制作 | 第21-23页 |
| 3．3．1 气敏材料的合成 | 第21-22页 |
| 3．3．2 气敏元件的制作 | 第22-23页 |
| 3．4 气敏元件的性能测试 | 第23-25页 |
| 3．4．1 气敏性能测试电路 | 第23-24页 |
| 3．4．2 气敏性能测试所用公式 | 第24-25页 |
| 3．5 金属氧化物的缺陷和导电性质 | 第25-28页 |
| 3．5．1 金属氧化物和复合氧化物半导体中的点缺陷和导电性质 | 第25-27页 |
| 3．5．2 施主型和受主型气体 | 第27页 |
| 3．5．3 氧化物半导体电阻率的控制 | 第27-28页 |
| 3．6 气体传感器的工作原理 | 第28-33页 |
| 3．6．1 吸、脱附模型 | 第28-29页 |
| 3．6．2 催化(接触)燃烧模型 | 第29-30页 |
| 3．6．3 氧化还原模型 | 第30-32页 |
| 3 6．4 固体电解质气敏模型 | 第32页 |
| 3．6．5 气固分配平衡模型 | 第32-33页 |
| 4 气敏材料的制备及气敏性能研究 | 第33-59页 |
| 4．1 半导体气体传感器的主要技术指标 | 第33-34页 |
| 4．2 CoFe_2O_4的制备及气敏性能研究 | 第34-44页 |
| 4．2．1 实验 | 第35-37页 |
| 4 2．2 结果与讨论 | 第37-44页 |
| 4．2．3 结论 | 第44页 |
| 4．3 ZnIn_2O_4的制备及气敏性能研究 | 第44-51页 |
| 4．3．1 实验 | 第44-46页 |
| 4．3．2 结果与讨论 | 第46-50页 |
| 4．3．3 结论 | 第50-51页 |
| 4．4 CaO-In_2O_3的制备及气敏性能研究 | 第51-59页 |
| 4．4．1 实验 | 第51-52页 |
| 4．4．2 结果与讨论 | 第52-57页 |
| 4．4．3 结论 | 第57-59页 |
| 5 结论 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 附录 | 第66页 |