中文摘要 | 第1-7页 |
英文摘要 | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第9-26页 |
1.1 量子点的基本特性 | 第9-11页 |
1.2 Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶的制备方法 | 第11-14页 |
1.3 Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料的光催化特性 | 第14-18页 |
1.4 纳米半导体修饰电极电催化活性 | 第18-19页 |
1.5 参考文献 | 第19-26页 |
第二章 固相反应法制备水溶性CdS纳米晶 | 第26-43页 |
2.1 引言 | 第26-27页 |
2.2 实验部分 | 第27-28页 |
2.2.1 试剂与仪器 | 第27-28页 |
2.2.2 制备方法 | 第28页 |
2.3 结果与讨论 | 第28-39页 |
2.3.1 傅立叶红外光谱(FT-IR)分析 | 第28-30页 |
2.3.2 X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第30-32页 |
2.3.3 差热—热重(DTA-DTG)分析 | 第32-33页 |
2.3.4 X射线粉末衍射(XRD)分析 | 第33-35页 |
2.3.5 透射电子显微镜(TEM)及原子力显微镜(AFM)分析 | 第35-37页 |
2.3.6 紫外-可见吸收光谱(UV-vis)分析 | 第37-38页 |
2.3.7 荧光光谱(PL)分析 | 第38-39页 |
2.4 结论 | 第39页 |
2.5 参考文献 | 第39-43页 |
第三章 聚苯乙烯—马来酸酐模板法制备CdSe纳米晶 | 第43-51页 |
3.1 引言 | 第43-44页 |
3.2 实验部分 | 第44-46页 |
3.2.1 试剂与仪器 | 第44-45页 |
3.2.2 制备方法 | 第45-46页 |
3.3 结果与讨论 | 第46-48页 |
3.3.1 X射线粉末衍射(XRD)分析 | 第46-47页 |
3.3.2 紫外—可见吸收光谱(UV—Vis)分析 | 第47-48页 |
3.3.3 光致荧光光谱(PL)分析 | 第48页 |
3.4 结论 | 第48-49页 |
3.5 参考文献 | 第49-51页 |
第四章 纳米CdS光催化甲基橙的研究 | 第51-61页 |
4.1 引言 | 第51-52页 |
4.2 实验部分 | 第52-53页 |
4.2.1 试剂与仪器 | 第52页 |
4.2.2 光催化氧化操作及装置 | 第52-53页 |
4.3 结果与讨论 | 第53-59页 |
4.3.1 甲基橙氧化电位的测定 | 第53-54页 |
4.3.2 纳米CdS光催化降解甲基橙的表观降解速率常数的测定 | 第54-56页 |
4.3.3 pH值对纳米CdS光催化甲基橙溶液的动力学影响 | 第56-58页 |
4.3.4 pH值对纳米CdS光催化甲基橙溶液脱色率的影响 | 第58-59页 |
4.4 结论 | 第59-60页 |
4.5 参考文献 | 第60-61页 |
第五章 纳米CdS修饰电极的制备及其电催化活性 | 第61-67页 |
5.1 引言 | 第61-62页 |
5.2 实验部分 | 第62页 |
5.2.1 试剂与仪器 | 第62页 |
5.2.2 CdS修饰电极的制备 | 第62页 |
5.3 结果与讨论 | 第62-65页 |
5.3.1 CdS修饰电极对对苯二酚的电化学行为 | 第62-64页 |
5.3.2 CdS修饰电极稳定性 | 第64-65页 |
5.4 参考文献 | 第65-67页 |
发表文章目录 | 第67-68页 |
致谢 | 第68页 |