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CdS、CdSe纳米晶的制备及其性质研究

中文摘要第1-7页
英文摘要第7-9页
第一章 绪论第9-26页
 1.1 量子点的基本特性第9-11页
 1.2 Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶的制备方法第11-14页
 1.3 Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料的光催化特性第14-18页
 1.4 纳米半导体修饰电极电催化活性第18-19页
 1.5 参考文献第19-26页
第二章 固相反应法制备水溶性CdS纳米晶第26-43页
 2.1 引言第26-27页
 2.2 实验部分第27-28页
  2.2.1 试剂与仪器第27-28页
  2.2.2 制备方法第28页
 2.3 结果与讨论第28-39页
  2.3.1 傅立叶红外光谱(FT-IR)分析第28-30页
  2.3.2 X射线光电子能谱(XPS)分析第30-32页
  2.3.3 差热—热重(DTA-DTG)分析第32-33页
  2.3.4 X射线粉末衍射(XRD)分析第33-35页
  2.3.5 透射电子显微镜(TEM)及原子力显微镜(AFM)分析第35-37页
  2.3.6 紫外-可见吸收光谱(UV-vis)分析第37-38页
  2.3.7 荧光光谱(PL)分析第38-39页
 2.4 结论第39页
 2.5 参考文献第39-43页
第三章 聚苯乙烯—马来酸酐模板法制备CdSe纳米晶第43-51页
 3.1 引言第43-44页
 3.2 实验部分第44-46页
  3.2.1 试剂与仪器第44-45页
  3.2.2 制备方法第45-46页
 3.3 结果与讨论第46-48页
  3.3.1 X射线粉末衍射(XRD)分析第46-47页
  3.3.2 紫外—可见吸收光谱(UV—Vis)分析第47-48页
  3.3.3 光致荧光光谱(PL)分析第48页
 3.4 结论第48-49页
 3.5 参考文献第49-51页
第四章 纳米CdS光催化甲基橙的研究第51-61页
 4.1 引言第51-52页
 4.2 实验部分第52-53页
  4.2.1 试剂与仪器第52页
  4.2.2 光催化氧化操作及装置第52-53页
 4.3 结果与讨论第53-59页
  4.3.1 甲基橙氧化电位的测定第53-54页
  4.3.2 纳米CdS光催化降解甲基橙的表观降解速率常数的测定第54-56页
  4.3.3 pH值对纳米CdS光催化甲基橙溶液的动力学影响第56-58页
  4.3.4 pH值对纳米CdS光催化甲基橙溶液脱色率的影响第58-59页
 4.4 结论第59-60页
 4.5 参考文献第60-61页
第五章 纳米CdS修饰电极的制备及其电催化活性第61-67页
 5.1 引言第61-62页
 5.2 实验部分第62页
  5.2.1 试剂与仪器第62页
  5.2.2 CdS修饰电极的制备第62页
 5.3 结果与讨论第62-65页
  5.3.1 CdS修饰电极对对苯二酚的电化学行为第62-64页
  5.3.2 CdS修饰电极稳定性第64-65页
 5.4 参考文献第65-67页
发表文章目录第67-68页
致谢第68页

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