第1章 文献综述 | 第1-26页 |
·引言 | 第7页 |
·玻璃熔窑用碹顶硅砖损毁机理的研究进展 | 第7-15页 |
·玻璃熔窑碹顶用耐材的使用条件及选材 | 第7页 |
·用后残砖宏观特征变化 | 第7-9页 |
·残砖的化学组成变化 | 第9页 |
·残砖的显微结构分析 | 第9-11页 |
·硅砖结构变化成因及影响 | 第11-12页 |
·碹顶硅砖的蚀损 | 第12-15页 |
·玻璃窑用优质致密硅砖的研究进展 | 第15-24页 |
·硅质耐火材料的相平衡及矿化剂的选择 | 第16-18页 |
·硅砖的显微结构研究 | 第18-19页 |
·制造优质硅砖的途径 | 第19-24页 |
·进一步开展玻璃窑用碹顶硅砖损毁机理研究及优质致密硅砖研制的意义 | 第24-26页 |
第2章 碹项高温区硅砖的性质与显微结构分析 | 第26-35页 |
·试样制备与测试方法 | 第26-28页 |
·原砖的理化性能指标 | 第26页 |
·用后残砖的取样 | 第26-28页 |
·化学分析结果 | 第28-29页 |
·各段带物理性能检测结果 | 第29页 |
·各段带X-Ray衍射分析 | 第29-30页 |
·各段带显微结构分析 | 第30-33页 |
·分析与讨论 | 第33-35页 |
第3章 窑内温度分布对碹顶硅砖相变和化学成分重新分布的影响 | 第35-42页 |
·温度分布对相变的影响 | 第35-39页 |
·2~#小炉区域 | 第35-37页 |
·5~#小炉区域 | 第37-39页 |
·温度梯度与化学成分重新分布 | 第39-40页 |
·分析与讨论 | 第40-42页 |
第4章 碹顶硅砖的相变与损毁机理分析 | 第42-46页 |
·硅砖中SiO_2晶体的相变机理 | 第42-44页 |
·碹顶硅砖中化学成份重新分布 | 第44页 |
·碹顶硅砖的损毁机理分析 | 第44-46页 |
第5章 优质硅砖的研制 | 第46-61页 |
·SiO_2的相变 | 第46-48页 |
·SiO_2晶体的第一次相变——硅石的形成 | 第47页 |
·SiO_2的第二次相变——硅砖的生产 | 第47-48页 |
·SiO_2晶体的第三次相变——硅砖的使用 | 第48页 |
·优质硅石原料的选择 | 第48-51页 |
·试验及结果 | 第49-51页 |
·矿化剂的选择 | 第51-53页 |
·关键工艺参数的选择 | 第53-55页 |
·骨料临界颗粒的选择 | 第53页 |
·确定配方 | 第53-54页 |
·热工制度 | 第54-55页 |
·生产实践 | 第55-58页 |
·原料 | 第56页 |
·原料的破粉碎 | 第56页 |
·矿化剂和结合剂 | 第56-57页 |
·配料与泥料混练 | 第57页 |
·成型 | 第57-58页 |
·干燥 | 第58页 |
·装车 | 第58页 |
·烧成 | 第58页 |
·检选 | 第58页 |
·产品的性能分析 | 第58-60页 |
·产品的应用 | 第60-61页 |
第六章 结论 | 第61-64页 |