| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract（英文摘要） | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1．1 引言 | 第9-10页 |
| 1．2 国内外研究状况和进展 | 第10-14页 |
| 1．3 本文的主要工作 | 第14-16页 |
| 第二章 导电高分子薄膜的制备与沉积机理 | 第16-32页 |
| 2．1 引言 | 第16页 |
| 2．2 导电高分子薄膜的制备过程 | 第16-17页 |
| 2．3 导电高分子薄膜沉积机理与分析 | 第17-25页 |
| 2．3．1 体相中均匀成核 | 第17-19页 |
| 2．3．2 衬底上的非均匀成核 | 第19-22页 |
| 2．3．3 成核的原子模型 | 第22-24页 |
| 2．3．4 衬底缺陷上成核 | 第24-25页 |
| 2．4 现有几种薄膜的生长模式 | 第25-31页 |
| 2．5 本章结论 | 第31-32页 |
| 第三章 导电高分子薄膜的力学性能实验 | 第32-46页 |
| 3．1 引言 | 第32-33页 |
| 3．2 导电高分子薄膜力学性能参数测定的方法 | 第33-36页 |
| 3．2．1 实验方法和装置 | 第33-35页 |
| 3．2．2 材料制备与试件几何尺寸 | 第35-36页 |
| 3．3 导电聚噻吩薄膜材料实验结果 | 第36-42页 |
| 3．4 导电聚吡咯薄膜的强度参数检测及比较 | 第42-44页 |
| 3．5 本章结论 | 第44-46页 |
| 第四章 导电高分子薄膜微结构与其力学性能间的关系 | 第46-58页 |
| 4．1 引言 | 第46页 |
| 4．2 导电高分子薄膜断裂机理和断口分析 | 第46-56页 |
| 4．2．1 导电高分子薄膜的拉伸破坏试验 | 第46-48页 |
| 4．2．2 断口分析与聚吡咯薄膜微结构对其力学性能的影响 | 第48-56页 |
| 4．3 本章结论 | 第56-58页 |
| 第五章 导电高分子薄膜制备工艺参数对力学性能间的关系 | 第58-69页 |
| 5．1 引言 | 第58页 |
| 5．2 实验方法和材料 | 第58-60页 |
| 5．2．1 原材料 | 第58-59页 |
| 5．2．2 导电高分子薄膜前处理 | 第59-60页 |
| 5．2．3 导电高分子薄膜的导电率与力学性能参数的检测方法 | 第60页 |
| 5．3 实验结果与讨论 | 第60-67页 |
| 5．4 本章结论 | 第67-69页 |
| 第六章 薄膜与基底系统疲劳破坏模式实验研究 | 第69-77页 |
| 6．1 引言 | 第69-70页 |
| 6．2 疲劳实验机介绍 | 第70-72页 |
| 6．3 聚噻吩薄膜在不锈钢基底上的疲劳破坏实验 | 第72-76页 |
| 6．3．1 聚噻吩薄膜试样的制备 | 第72页 |
| 6．3．2 聚噻吩薄膜疲劳实验 | 第72-73页 |
| 6．3．3 实验结果和讨论 | 第73-76页 |
| 6．4 聚噻吩薄膜基底系统疲劳实验结论 | 第76-77页 |
| 第七章 全文总结 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-81页 |
| 致谢、声明 | 第81-82页 |
| 个人简历及攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第82页 |
