| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 前言 | 第12-30页 |
| 1．1 纳米复合材料在光电应用领域的研究进展 | 第12-17页 |
| 1．2 ZnO材料的研究进展 | 第17-25页 |
| 1．3 存在问题及本文拟主要解决的问题 | 第25-30页 |
| 第二章 样品制备及其表征技术 | 第30-49页 |
| 2．1 样品制备 | 第30-38页 |
| 2．1．1 电子束蒸发设备简介及原理 | 第30-32页 |
| 2．1．2 离子注入设备简介 | 第32-35页 |
| 2．1．3 高温退火设备简介 | 第35-36页 |
| 2．1．4 ZnO纳米粒子制备 | 第36-38页 |
| 2．1．4．1 电子束蒸发及后退火方法制备SiO_2包埋的ZnO纳米粒子 | 第36-37页 |
| 2．1．4．2 离子注入及后退火方法制备SiO_2包埋的ZnO纳米粒子 | 第37-38页 |
| 2．2 样品表征及光学特性测试技术 | 第38-49页 |
| 2．2．1 X射线衍射谱 | 第38-40页 |
| 2．2．2 透射-反射光谱 | 第40-41页 |
| 2．2．3 红外光谱 | 第41-44页 |
| 2．2．4 X射线光电子能谱（XPS） | 第44-46页 |
| 2．2．5 微区光致发光谱 | 第46-49页 |
| 第三章 电子束蒸发及后退火方法制备的SiO_2包埋的ZnO纳米粒子的结构研究 | 第49-66页 |
| 3．1 电子束蒸发及后退火方法制备的SiO_2包埋的ZnO纳米粒子的形状研究 | 第49-54页 |
| 3．1．1 电子束蒸发及后退火方法制备的SiO_2包埋的ZnO纳米粒子的形状对红外光谱的影响 | 第49-52页 |
| 3．1．2 电子束蒸发及后退火方法制备的SiO_2包埋的ZnO纳米粒子的形状研究 | 第52-54页 |
| 3．2 热退火对电子束蒸发及后退火方法制备的SiO_2包埋的ZnO纳米粒子的取向和应力的影响 | 第54-57页 |
| 3．3 热退火对ZnO纳米粒子平均尺寸的影响 | 第57-58页 |
| 3．4 SiO_2包埋的ZnO纳米粒子的形成过程 | 第58-63页 |
| 3．5 小结 | 第63-66页 |
| 第四章 电子束蒸发及后退火方法制备的SiO_2包埋的ZnO纳米粒子的光学特性研究 | 第66-81页 |
| 4．1 热退火对SiO_2薄膜发光特性的影响 | 第66-67页 |
| 4．2 热退火对SiO_2包埋的ZnO纳米粒子的紫外发射的影响 | 第67-70页 |
| 4．3 应力对SiO_2包埋的ZnO纳米粒子的紫外光致发光峰的影响 | 第70-74页 |
| 4．4 热退火对SiO_2包埋的ZnO纳米粒子深能级发光的影响 | 第74-75页 |
| 4．5 电子束蒸发及后退火方法制备的SiO_2包埋的ZnO纳米粒子的激子特性研究 | 第75-79页 |
| 4．6 小结 | 第79-81页 |
| 第五章 离子注入及其后退火方法制备SiO_2包埋的ZnO纳米粒子的结构研究 | 第81-98页 |
| 5．1 热退火对ZnO纳米粒子取向性的影响 | 第81-85页 |
| 5．2 热退火对ZnO纳米粒子内部应力的影响 | 第85页 |
| 5．3 热退火对ZnO纳米粒子平均尺寸的影响 | 第85-87页 |
| 5．4 ZnO纳米粒子的形成机制 | 第87-91页 |
| 5．5 热退火过程中Zn扩散的动力学模拟 | 第91-96页 |
| 5．6 小结 | 第96-98页 |
| 第六章 离子注入及后退火方法制备的SiO_2包埋的ZnO纳米粒子的光学特性研究 | 第98-119页 |
| 6．1 热退火对ZnO纳米粒子激子吸收峰的影响 | 第98-104页 |
| 6．2 热退火对ZnO纳米粒子的紫外发射的影响 | 第104-108页 |
| 6．3 应力对ZnO纳米粒子紫外光致发光峰的影响 | 第108-111页 |
| 6．4 热退火对ZnO纳米粒子晶体质量的影响 | 第111-113页 |
| 6．5 离子注入及后退火方法制备的SiO_2包埋的ZnO纳米粒子的激子特性研究 | 第113-116页 |
| 6．6 小结 | 第116-119页 |
| 第七章 结束语 | 第119-124页 |
| 7．1 结论 | 第119-120页 |
| 7．2 主要工作及论文发表情况 | 第120-122页 |
| 7．3 致谢 | 第122-124页 |
