| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-6页 |
| 1 引言 | 第6-9页 |
| 2 理论综述 | 第9-18页 |
| 2．1 蒙特卡罗模拟方法 | 第9-10页 |
| 2．2 表面吸附 | 第10-18页 |
| 2．3 模型 | 第11-13页 |
| 2．3．1 晶格气体模型 | 第11-12页 |
| 2．3．2 伊辛模型 | 第12页 |
| 2．3．3 Potts模型 | 第12-13页 |
| 2．4 有序结构p（2×2）和p（2×1） | 第13-18页 |
| 3 O／Ru（0001）系统的蒙特卡罗（MC）模拟 | 第18-32页 |
| 3．1 模型中各参数值的选择 | 第19-20页 |
| 3．2 96×96格点系统的模拟T—θ相图 | 第20-23页 |
| 3．3 对T—θ相图的详细分析和讨论 | 第23-32页 |
| 3．3．1 p（2×2）和p（2×1）共存相的位形图 | 第23-25页 |
| 3．3．2 对于发生在共存域中的微弱一级相变的分析 | 第25-27页 |
| 3．3．3 对于临界指数的讨论 | 第27-32页 |
| 4 总结和讨论 | 第32-34页 |
| 致谢信 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-37页 |