摘要 | 第1-4页 |
ABSTRACT | 第4-8页 |
第一章 前驱体陶瓷体研究发展现状 | 第8-28页 |
·引言 | 第8-9页 |
·前驱体制备块体陶瓷研究与发展 | 第9-13页 |
·硅碳氮(Si-C-N)、硅硼碳氮(Si-B-C-N)体系 | 第13-17页 |
·高温热稳定性 | 第14-15页 |
·高温低蠕变性能 | 第15-16页 |
·高温抗氧化性 | 第16-17页 |
·可调控电导率 | 第17页 |
·聚碳硅烷(PCS)体热解陶瓷研究现状 | 第17-20页 |
·碳化硅(SiC)纤维 | 第17-18页 |
·聚碳硅烷(PCS)中加入填料热解制备陶瓷材料 | 第18-19页 |
·在聚碳硅烷(PCS)中引入金属元素 | 第19-20页 |
·聚碳硅烷(PCS)直接体热解制备Si(O)C 陶瓷研究状况 | 第20-24页 |
·前驱体陶瓷体材料硬度 | 第24-26页 |
·聚碳硅烷(PCS)相关前驱体陶瓷体材料硬度 | 第24-25页 |
·前驱体陶瓷体材料硬度 | 第25-26页 |
·课题的提出 | 第26页 |
·实验所需解决的关键问题 | 第26-28页 |
第二章 实验方法 | 第28-34页 |
·原料 | 第28-29页 |
·实验方法 | 第29-30页 |
·实验仪器和设备 | 第30页 |
·具体制备方法 | 第30-32页 |
·表征方法 | 第32-34页 |
第三章 聚碳硅烷(PCS)热解制备三维致密碳化硅(SiC)陶瓷 | 第34-57页 |
·形成致密陶瓷 | 第34-35页 |
·预氧化聚碳硅烷(PCS) | 第35-36页 |
·热压成型 | 第36-40页 |
·碳化硅(SiC)陶瓷体的结构与性能 | 第40-56页 |
·体热解过程以及陶瓷产物键联 | 第40-46页 |
·体热解陶瓷密度 | 第46-47页 |
·体热解陶瓷微结构 | 第47-50页 |
·体热解陶瓷成份 | 第50-52页 |
·体热解陶瓷热稳定性 | 第52-53页 |
·体热解陶瓷维氏显微硬度 | 第53-56页 |
·小结 | 第56-57页 |
第四章 激光烧结前驱体陶瓷材料 | 第57-72页 |
·概述 | 第57-62页 |
·放电等离子烧结 | 第57-58页 |
·微波烧结 | 第58-59页 |
·激光烧结 | 第59-62页 |
·实验过程 | 第62-63页 |
·准备烧结坯体 | 第62-63页 |
·选区激光烧结及烧结样品表征 | 第63页 |
·结果与讨论 | 第63-69页 |
·聚碳硅烷(PCS)坯体烧结结果 | 第63-65页 |
·Ceraset 坯体烧结结果 | 第65-66页 |
·凝胶体烧结结果 | 第66-69页 |
·陶瓷激光加工结果 | 第69-71页 |
·小结 | 第71-72页 |
结论 | 第72-73页 |
展望 | 第73-74页 |
参考文献 | 第74-79页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第79-80页 |
致谢 | 第80页 |