| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·发光材料 | 第11页 |
| ·发光 | 第11-12页 |
| ·LED 及其照明技术 | 第12-15页 |
| ·LED 的发展及LED 照明 | 第12-13页 |
| ·白光LED 的实现方式 | 第13页 |
| ·白光LED 用荧光粉的现状 | 第13-15页 |
| ·白光LED 用YAG:Ce~(3+)荧光粉 | 第15-17页 |
| ·YAG 的晶体结构 | 第15页 |
| ·YAG 的物理化学特性 | 第15-16页 |
| ·白光LED 用YAG:Ce~(3+)荧光粉的发展 | 第16-17页 |
| ·YAG:Ce~(3+)荧光粉的制备技术 | 第17-20页 |
| ·固相法 | 第17-18页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第18页 |
| ·化学沉淀法 | 第18页 |
| ·燃烧合成法 | 第18-19页 |
| ·水热法和溶剂热法 | 第19页 |
| ·喷雾热解法 | 第19页 |
| ·微波合成法 | 第19-20页 |
| ·本文研究的主要内容和意义 | 第20-22页 |
| ·研究意义 | 第20-21页 |
| ·研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 基本理论 | 第22-42页 |
| ·稀土材料的发光机理 | 第22-26页 |
| ·固体电子能级理论 | 第22-26页 |
| ·斯托克斯定律和反斯托克斯发光 | 第26页 |
| ·发光和猝灭 | 第26页 |
| ·稀土离子 | 第26-31页 |
| ·稀土离子的能级跃迁 | 第27-29页 |
| ·某些稀土离子的发光特性 | 第29-31页 |
| ·影响稀土离子发光的几个因素 | 第31-34页 |
| ·晶体场对稀土离子发光的影响 | 第31-33页 |
| ·激活剂浓度对稀土离子发光的影响 | 第33-34页 |
| ·温度对稀土离子发光的影响 | 第34页 |
| ·YAG 相的形成与掺杂机理 | 第34-37页 |
| ·YAG 相的形成 | 第34-35页 |
| ·YAG 中的离子掺杂机理 | 第35-37页 |
| ·发光材料的表征和测试手段 | 第37-42页 |
| ·晶相分析 | 第37页 |
| ·表面形貌分析 | 第37页 |
| ·荧光光谱分析 | 第37-38页 |
| ·吸收光谱分析 | 第38-39页 |
| ·荧光寿命分析 | 第39-40页 |
| ·色坐标 | 第40-42页 |
| 第三章 阳离子取代对铝酸盐(YAG:Ce)荧光材料基质结构的影响及其 发射波长的调控 | 第42-59页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·实验部分 | 第43-44页 |
| ·实验试剂与仪器 | 第43页 |
| ·实验步骤与工艺流程图 | 第43-44页 |
| ·性能测试 | 第44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-54页 |
| ·YAG:Ce~(3+)的能级结构和荧光光谱 | 第44-47页 |
| ·稀土阳离子取代对YAG:Ce 荧光粉发光的影响 | 第47-49页 |
| ·Gd3+取代基质中部分Y~(3+)对YAG:Ce 发光的影响 | 第49-51页 |
| ·不同浓度Gd~(3+)取代对YAG:Ce 荧光粉发光特性的影响 | 第51-54页 |
| ·Gd~(3+)掺杂对白光LED 器件色坐标的影响 | 第54页 |
| ·助熔剂对Gd~(3+)取代YAG:Ce荧光粉的影响 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 （Y_(2.94-X)Gd_XCe_(0.06)）Al_5O_(12)荧光粉的温度依赖特性研究 | 第59-72页 |
| ·引言 | 第59页 |
| ·实验部分 | 第59-60页 |
| ·（Y_(2.94-X)Gd_XCe_(0.06)）Al_5O_(12)荧光粉的温度效应 | 第60-70页 |
| ·（Y_(2.94-X)Gd_XCe_(0.06)）Al_5O_(12)（x=0）荧光粉的温度依赖特性 | 第60-64页 |
| ·Gd~(3+)取代（（Y_(2.94-X)Gd_XCe_(0.06)）Al_5O_(12)荧光粉的温度依赖特性 | 第64-70页 |
| ·温度对白光LED 器件的影响 | 第70-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 SiO_2-YAG:CE 荧光材料和陶瓷材料的制备及其发光性能研究 | 第72-86页 |
| ·引言 | 第72页 |
| ·实验部分 | 第72-73页 |
| ·SiO_2-YAG:Ce 荧光粉的结构与发光特性 | 第73-79页 |
| ·XRD 分析 | 第73页 |
| ·SiO_2-YAG:Ce 荧光粉的发光特性研究 | 第73-74页 |
| ·不同浓度Si~(4+)取代对SiO_2-YAG:Ce 样品近紫外和可见光区发射光谱的影响 | 第74-75页 |
| ·变温光谱分析 | 第75-78页 |
| ·荧光寿命分析 | 第78-79页 |
| ·SiO_2-YAG:Ce 陶瓷材料的制备 | 第79-82页 |
| ·引言 | 第79-80页 |
| ·陶瓷材料的研究现状 | 第80页 |
| ·陶瓷材料发展趋势与展望 | 第80-81页 |
| ·实验部分 | 第81-82页 |
| ·SiO_2-YAG:CE 陶瓷材料的发光特性 | 第82-85页 |
| ·SiO_2-YAG:Ce 陶瓷材料的激发和发射光谱 | 第82-83页 |
| ·煅烧温度对SiO_2-YAG:Ce 陶瓷材料制备的影响 | 第83-84页 |
| ·SiO_2-YAG:Ce 陶瓷样品照片 | 第84页 |
| ·SiO_2-YAG:Ce 型白光LED | 第84-85页 |
| ·本章小结 | 第85-86页 |
| 第六章 全文总结及工作展望 | 第86-88页 |
| ·全文总结 | 第86-87页 |
| ·今后工作展望 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-94页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第94-95页 |
| 致谢 | 第95-96页 |
