| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·正电子湮没技术发展简史 | 第11-12页 |
| ·正电子在固体中的注入深度分布 | 第12-13页 |
| ·正电子的捕获和湮没 | 第13-14页 |
| ·正电子淹没的可观测量 | 第14-15页 |
| ·正电子湮没实验方法 | 第15-19页 |
| ·正电子源的选择 | 第15-16页 |
| ·正电子寿命测量技术 | 第16页 |
| ·多普勒测量技术 | 第16-18页 |
| ·角关联测量技术 | 第18-19页 |
| ·正电子湮没理论计算概述 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-23页 |
| 第二章 基于密度泛函赝势平面波方法的正电子寿命计算 | 第23-58页 |
| ·正电子寿命计算理论基础 | 第23-32页 |
| ·密度泛函理论基础 | 第24-29页 |
| ·正电子寿命计算基础 | 第29-32页 |
| ·面心立方结构晶体的正电子寿命计算 | 第32-37页 |
| ·Al，Cu，Ni，Ag 的电子密度计算 | 第32-34页 |
| ·Al，Cu，Ni，Ag 的正电子寿命计算 | 第34-37页 |
| ·体心立方结构晶体的正电子寿命计算 | 第37-41页 |
| ·Li，Na，K 的电子密度计算 | 第37-39页 |
| ·Li，Na，K 的正电子寿命计算 | 第39-41页 |
| ·金刚石结构晶体的正电子寿命计算 | 第41-45页 |
| ·C（金刚石），Si，Ge 的电子密度计算 | 第41-43页 |
| ·C（金刚石），Si，Ge 的正电子寿命计算 | 第43-45页 |
| ·NaCl 结构晶体的正电子寿命计算 | 第45-48页 |
| ·MgO、CdO 的电子密度计算 | 第45-46页 |
| ·MgO、CdO 的正电子寿命计算 | 第46-48页 |
| ·闪锌矿结构 SiC 的正电子寿命计算 | 第48-50页 |
| ·SiC 的电子密度计算 | 第48-49页 |
| ·SiC 正电子寿命计算 | 第49-50页 |
| ·金属间化合物 Ni_3Al、Ni_3Fe 的正电子寿命计算 | 第50-53页 |
| ·Ni_3Al、Ni_3Fe 的电子密度计算 | 第50-51页 |
| ·Ni_3Al、Ni_3Fe 的正电子体计算 | 第51-53页 |
| ·总结 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 第三章 半导体材料的正电子能带计算 | 第58-81页 |
| ·平面波方法计算正电子能带基础 | 第58-59页 |
| ·金刚石结构半导体的能带计算 | 第59-68页 |
| ·硅（Si）的能带计算 | 第60-65页 |
| ·锗（Ge）的能带计算 | 第65-68页 |
| ·闪锌矿结构半导体的能带计算 | 第68-78页 |
| ·GaAs 和 InAs 的能带计算 | 第69-73页 |
| ·AlN 和GaN 的能带计算 | 第73-78页 |
| ·小结 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-81页 |
| 第四章 几种薄膜的慢正电子技术分析 | 第81-109页 |
| ·慢正电子束分析基础 | 第81-83页 |
| ·实验概况 | 第81-82页 |
| ·线性参数拟合 | 第82-83页 |
| ·Ni_3Al 薄膜的慢正电子束分析 | 第83-91页 |
| ·Ni_3Al 的基本结构特征和缺陷类型 | 第83-85页 |
| ·Ni_3Al 薄膜慢正电子束实验 | 第85页 |
| ·Ni_3Al 薄膜的结果和讨论 | 第85-91页 |
| ·小结 | 第91页 |
| ·TaN 薄膜的慢正电子束分析 | 第91-95页 |
| ·TaN 薄膜的研究背景和目的 | 第91-92页 |
| ·TaN 薄膜实验过程 | 第92页 |
| ·TaN 薄膜实验结果和讨论 | 第92-95页 |
| ·小结 | 第95页 |
| ·La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3薄膜的慢正电子束分析 | 第95-101页 |
| ·La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3薄膜的研究背景和目的 | 第95-96页 |
| ·La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3薄膜的实验过程 | 第96-97页 |
| ·La_(0.7)Sr_(0.3)Mn0_3薄膜的实验结果和讨论 | 第97-100页 |
| ·小结 | 第100-101页 |
| ·Ce0_2薄膜的慢正电子束分析 | 第101-106页 |
| ·Ce0_2薄膜的研究背景和目的 | 第101-102页 |
| ·Ce0_2薄膜的实验过程 | 第102-103页 |
| ·Ce0_2薄膜的实验结果和讨论 | 第103-105页 |
| ·小结 | 第105-106页 |
| ·本章小结 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-109页 |
| 致谢 | 第109-110页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第110-111页 |
