程控微弧氧化脉冲电源研制
摘要 | 第1-9页 |
Abstract | 第9-11页 |
第1章 绪论 | 第11-19页 |
·微弧氧化表面处理技术 | 第11-15页 |
·微弧氧化技术的研究状况 | 第11-13页 |
·微弧氧化技术的工艺特点 | 第13-14页 |
·微弧氧化技术的应用前景 | 第14-15页 |
·微弧氧化电源 | 第15-18页 |
·微弧氧化电源的研究状况 | 第15页 |
·国内常用微弧氧化电源拓扑结构 | 第15-17页 |
·程控在电源中的运用 | 第17-18页 |
·课题研究目的和意义 | 第18页 |
·课题研究内容 | 第18-19页 |
第二章 微弧氧化长膜机理和负载特性仿真 | 第19-39页 |
·微弧氧化长膜机理 | 第19-25页 |
·微弧氧化膜层生长过程 | 第19-23页 |
·实验过程 | 第19-20页 |
·实验结果 | 第20-22页 |
·膜层生长过程分析 | 第22-23页 |
·微弧氧化微区电弧放电模型 | 第23-24页 |
·微弧氧化长膜机理对电源的要求 | 第24-25页 |
·微弧氧化负载特性仿真 | 第25-37页 |
·负载模型的建立 | 第25-29页 |
·实验过程 | 第25-26页 |
·实验波形分析 | 第26-28页 |
·负载模型的建立 | 第28-29页 |
·负载模型的仿真 | 第29-32页 |
·Multisim10仿真平台 | 第29-30页 |
·负载电路仿真 | 第30-32页 |
·波形曲线拟合 | 第32-34页 |
·负载函数表达式 | 第32-33页 |
·波形曲线拟合 | 第33-34页 |
·负载特性对电源的要求 | 第34-37页 |
·单极性脉冲模式 | 第35-36页 |
·双极性脉冲模式 | 第36-37页 |
·带放电回路脉冲模式 | 第37页 |
·本章小结 | 第37-39页 |
第3章 程控微弧氧化脉冲电源的主电路 | 第39-49页 |
·电源总体设计方案 | 第39-42页 |
·微弧氧化对电源的要求 | 第39-40页 |
·对电源输出模式的要求 | 第39页 |
·对电参数的要求 | 第39-40页 |
·对控制方式的要求 | 第40页 |
·总体设计方案 | 第40-42页 |
·电源主电路 | 第42-47页 |
·整流滤波电路 | 第42-45页 |
·整流桥的选择 | 第42-43页 |
·整流器的选择 | 第43-44页 |
·整流器的保护电路 | 第44页 |
·滤波电路 | 第44-45页 |
·斩波电路 | 第45-47页 |
·斩波器的选择 | 第45-46页 |
·并联使用IGBT均流问题 | 第46页 |
·IGBT的保护电路 | 第46-47页 |
·放电电路 | 第47页 |
·本章小结 | 第47-49页 |
第4章 程控微弧氧化脉冲电源的控制电路 | 第49-65页 |
·电源主控系统 | 第49-59页 |
·80C196KB单片机及其最小系统 | 第49-50页 |
·可控硅同步触发电路 | 第50-54页 |
·同步脉冲产生电路 | 第50-51页 |
·触发产生电路 | 第51-53页 |
·触发的隔离放大电路 | 第53-54页 |
·IGBT驱动电路 | 第54-57页 |
·IGBT驱动电路的选择 | 第54-55页 |
·2SD315A原理及特点 | 第55-56页 |
·IGBT驱动电路设计 | 第56-57页 |
·采样及保护电路 | 第57-59页 |
·电压采样电路 | 第57-58页 |
·电流采样及峰值过流保护电路 | 第58页 |
·参数调节采样及过热保护电路 | 第58-59页 |
·人机界面系统 | 第59-63页 |
·AT89C52单片机及其最小系统 | 第59-60页 |
·HD7279A芯片的特点及工作原理 | 第60-61页 |
·人机界面电路 | 第61-63页 |
·系统间串行通讯 | 第63页 |
·本章小结 | 第63-65页 |
第5章 系统软件设计 | 第65-70页 |
·参数预置和操作流程 | 第65-67页 |
·过程控制流程 | 第67页 |
·电源控制软件设计 | 第67-68页 |
·控制原理 | 第67-68页 |
·调节算法 | 第68页 |
·抗干扰措施 | 第68-69页 |
·本章小结 | 第69-70页 |
第6章 设备的实际应用性能 | 第70-72页 |
结论 | 第72-73页 |
参考文献 | 第73-77页 |
致谢 | 第77-78页 |
附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第78页 |