| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-35页 |
| ·红外探测器的应用背景 | 第14-15页 |
| ·光电红外探测器的发展历史 | 第15-18页 |
| ·长波长光电子红外探测器的发展现状 | 第18-20页 |
| ·InAsSb长波长红外探测器 | 第20-34页 |
| ·InAsSb材料的性质 | 第20-31页 |
| ·InAsSb量子阱 | 第31-32页 |
| ·InAsSb长波长红外探测器发展现状介绍 | 第32-34页 |
| ·课题的研究思路与主要研究内容 | 第34-35页 |
| 第2章 试验方法及测试设备 | 第35-48页 |
| ·分子束外延（MBE）生长技术 | 第35-39页 |
| ·分子束外延生长原理 | 第35-36页 |
| ·分子束外延生长系统 | 第36-37页 |
| ·反射式高能电子衍射仪（RHEED） | 第37-38页 |
| ·分子束外延技术的工艺过程 | 第38-39页 |
| ·样品的分析和表征技术 | 第39-48页 |
| ·结构表征 | 第39-42页 |
| ·性能表征 | 第42-48页 |
| 第3章 InSb缓冲层结构与性能 | 第48-75页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·InSb同质外延生长的模拟 | 第48-54页 |
| ·模拟InSb同质外延生长的模型 | 第48-51页 |
| ·不同沉积速率的薄膜生长模拟 | 第51-53页 |
| ·不同生长温度的薄膜生长模拟 | 第53-54页 |
| ·InSb薄膜的分子束外延生长 | 第54-60页 |
| ·InSb薄膜的分子束外延生长过程 | 第55-56页 |
| ·InSb薄膜生长的RHEED观察 | 第56-58页 |
| ·InSb/GaAs薄膜的外延生长模式 | 第58-60页 |
| ·工艺参数对InSb质量的影响 | 第60-65页 |
| ·低温缓冲层对InSb 质量的影响 | 第65-68页 |
| ·薄膜厚度对InSb薄膜质量的影响 | 第68-69页 |
| ·工艺和结构参数对InSb薄膜光学性能的影响 | 第69-73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 第4章 InAsSb薄膜的生长和表征 | 第75-97页 |
| ·引言 | 第75页 |
| ·工艺对InAsSb薄膜的影响 | 第75-85页 |
| ·InAsSb薄膜的生长过程 | 第75-76页 |
| ·生长温度对InAsSb薄膜质量和Sb含量的影响 | 第76-78页 |
| ·V/III束流比对InAsSb薄膜的影响 | 第78-79页 |
| ·缓冲层对InAsSb薄膜的影响 | 第79-85页 |
| ·InAsSb薄膜的电学性能 | 第85-94页 |
| ·磁场对InAsSb薄膜电学性能的影响 | 第85-89页 |
| ·温度对InAsSb薄膜电学性能的影响 | 第89-94页 |
| ·InAsSb薄膜的光学性能 | 第94-95页 |
| ·本章小结 | 第95-97页 |
| 第5章 InAsSb/InSb超晶格光伏器件的制备及其性能 | 第97-119页 |
| ·引言 | 第97页 |
| ·InAsSb/InSb 应变超晶格的结构及性能 | 第97-103页 |
| ·InAsSb/InSb应变超晶格的设计 | 第97-101页 |
| ·InAsSb/InSb应变超晶格的生长及表征 | 第101-103页 |
| ·器件的制备 | 第103-109页 |
| ·样品的准备 | 第103-104页 |
| ·正光刻掩膜图案 | 第104-105页 |
| ·台阶的设定 | 第105-107页 |
| ·负光刻掩膜图案 | 第107-108页 |
| ·金属化 | 第108页 |
| ·光电二极管的单元器件结构 | 第108-109页 |
| ·器件性能 | 第109-117页 |
| ·器件的I-V特性 | 第109页 |
| ·器件的光电特性 | 第109-117页 |
| ·本章小结 | 第117-119页 |
| 结论 | 第119-121页 |
| 参考文献 | 第121-134页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第134-136页 |
| 致谢 | 第136-137页 |
| 个人简历 | 第137页 |