| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| ·透明导电薄膜的概述 | 第7-8页 |
| ·氧化锌的基本性质 | 第8-13页 |
| ·氧化锌薄膜材料的研究及进展 | 第13-14页 |
| ·氧化锌的应用 | 第14页 |
| ·氧化锌的制备方法 | 第14-16页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 氧化锌薄膜制备及表征 | 第18-26页 |
| ·射频磁控溅射制备氧化锌薄膜 | 第18-22页 |
| ·ZnO薄膜的表征方法 | 第22-26页 |
| 第三章 Si衬底上ZnO薄膜的制备工艺和薄膜性质分析 | 第26-36页 |
| ·实验所需材料和设备 | 第26页 |
| ·Si衬底上ZnO薄膜的直接制备工艺 | 第26-28页 |
| ·不同溅射电压下ZnO薄膜的性质研究 | 第28-31页 |
| ·不同O_2/Ar比例下ZnO薄膜的性质研究 | 第31-36页 |
| 第四章 通过生长Al_2O_3缓冲层制备氧化锌薄膜及薄膜特性分析 | 第36-42页 |
| ·Al_2O_3的性质及制备方法 | 第36-37页 |
| ·采用Al_2O_3缓冲层在Si衬底上制备ZnO的工艺 | 第37-39页 |
| ·Al_2O_3缓冲层上ZnO薄膜的性质分析 | 第39-42页 |
| 第五章 ZnO基紫外探测器(p-Si/n-ZnO)的初步研究 | 第42-48页 |
| ·紫外探测概述 | 第42页 |
| ·紫外探测器的分类和原理 | 第42-44页 |
| ·ZnO基紫外光探测器的研究现状和进展 | 第44-45页 |
| ·p-Si/n-ZnO紫外探测器的初步研究 | 第45-48页 |
| 结论 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
