| 摘要 | 第1-10页 |
| Abstract | 第10-13页 |
| 第一章 前言 | 第13-34页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·太阳电池 | 第13-19页 |
| ·太阳电池发展历程 | 第13-14页 |
| ·太阳电池基本原理 | 第14-16页 |
| ·太阳电池工作原理 | 第14-15页 |
| ·太阳电池的输出特性 | 第15-16页 |
| ·太阳电池分类 | 第16-19页 |
| ·硅基太阳电池 | 第17页 |
| ·化合物太阳电池 | 第17-18页 |
| ·有机材料太阳电池 | 第18-19页 |
| ·CIS薄膜太阳电池 | 第19-27页 |
| ·CIS材料的性质 | 第19-21页 |
| ·结构性质 | 第19-20页 |
| ·光学性质 | 第20页 |
| ·电学性质 | 第20-21页 |
| ·CIS薄膜太阳电池的发展历程 | 第21页 |
| ·CIS薄膜的主要制备方法 | 第21-24页 |
| ·真空蒸镀法 | 第21-22页 |
| ·硫/硒化法 | 第22页 |
| ·溅射法 | 第22-23页 |
| ·涂覆法 | 第23页 |
| ·喷雾热解法 | 第23-24页 |
| ·电沉积法 | 第24页 |
| ·CIS薄膜太阳电池的结构 | 第24-27页 |
| ·背电极/基底材料 | 第25-26页 |
| ·缓冲层材料 | 第26页 |
| ·窗口层材料 | 第26-27页 |
| ·一维纳米材料及其在太阳电池中的应用 | 第27-30页 |
| ·一维纳米材料 | 第27页 |
| ·一维纳米材料在太阳电池中的应用 | 第27-30页 |
| ·以ZnO纳米线或TiO_2纳米管作为光阳极的染料敏化电池 | 第27-28页 |
| ·基于量子点包覆的宽禁带半导体一维纳米结构电池 | 第28页 |
| ·同轴电缆p-n结纳米线阵列结构电池 | 第28-29页 |
| ·纳米发电机 | 第29-30页 |
| ·CIS薄膜太阳电池的几个研究重点 | 第30-32页 |
| ·CIS薄膜的低成本制备技术 | 第30页 |
| ·CIS材料的纳米化 | 第30-31页 |
| ·Na~+离子在CIS薄膜中的作用 | 第31-32页 |
| ·缓冲层材料中含重金属Cd的替代 | 第32页 |
| ·选题目的及研究内容 | 第32-34页 |
| 第二章 样品的制备与表征 | 第34-42页 |
| ·直流磁控溅射系统的搭建 | 第34-39页 |
| ·直流磁控溅射原理 | 第34-36页 |
| ·气体的辉光放电 | 第34-35页 |
| ·溅射机理 | 第35页 |
| ·直流磁控溅射 | 第35-36页 |
| ·直流磁控溅射系统设计 | 第36-39页 |
| ·真空系统 | 第36-37页 |
| ·磁控溅射靶系统 | 第37-38页 |
| ·直流溅射电源 | 第38-39页 |
| ·真空热蒸发镀膜系统 | 第39页 |
| ·样品的表征方法 | 第39-42页 |
| ·X射线衍射技术(XRD) | 第39页 |
| ·扫描电子显微术(SEM) | 第39-40页 |
| ·四探针测试系统 | 第40页 |
| ·Raman光谱分析 | 第40-42页 |
| 第三章 Mo薄膜的直流磁控溅射生长 | 第42-56页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·实验部分 | 第42-44页 |
| ·Mo薄膜的直流溅射制备 | 第42-43页 |
| ·Mo薄膜的表征 | 第43-44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-55页 |
| ·Mo薄膜的沉积速率 | 第44-46页 |
| ·溅射气压对Mo薄膜沉积速率的影响 | 第44-45页 |
| ·溅射功率密度对Mo薄膜沉积速率的影响 | 第45-46页 |
| ·基底温度对Mo薄膜沉积速率的影响 | 第46页 |
| ·Mo薄膜的结构 | 第46-49页 |
| ·溅射气压对Mo薄膜结构的影响 | 第46-48页 |
| ·溅射功率密度对Mo薄膜结构的影响 | 第48页 |
| ·基底温度对Mo薄膜结构的影响 | 第48-49页 |
| ·Mo薄膜的形貌 | 第49-51页 |
| ·Mo薄膜的力学性能分析 | 第51-52页 |
| ·Mo薄膜的电学性能 | 第52-55页 |
| ·溅射气压对Mo薄膜电学性能的影响 | 第52-53页 |
| ·溅射功率密度对Mo薄膜电学性能的影响 | 第53-54页 |
| ·基底温度对Mo薄膜电学性能的影响 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 CIS粉末的真空烧结合成及在单源热蒸发技术中的应用 | 第56-78页 |
| ·引言 | 第56-57页 |
| ·实验部分 | 第57-59页 |
| ·合成CIS粉末的实验方案及内容 | 第57-58页 |
| ·前驱体的烧结过程 | 第58页 |
| ·CIS薄膜的单源热蒸发 | 第58页 |
| ·样品的表征 | 第58-59页 |
| ·结果与讨论 | 第59-76页 |
| ·球磨Cu、In、S粉前驱体烧结合成CIS粉末 | 第59-66页 |
| ·不同烧结温度合成产物的XRD分析 | 第59-60页 |
| ·CIS粉末相形成的Raman分析 | 第60-62页 |
| ·不同烧结温度合成产物的形貌 | 第62-64页 |
| ·不同气压条件下烧结合成产物的形貌 | 第64页 |
| ·合成CIS粉末的组分分析 | 第64-66页 |
| ·手工碾磨Cu、In、S粉前驱体烧结合成CIS粉末 | 第66-68页 |
| ·不同烧结温度合成产物的XRD分析 | 第66-68页 |
| ·不同温度烧结合成产物的形貌 | 第68页 |
| ·球磨CuS和In_2S_3粉前驱体烧结合成CIS粉末 | 第68-71页 |
| ·CuS粉末的合成 | 第68-69页 |
| ·CIS粉末的合成 | 第69-71页 |
| ·真空烧结合成CuInSe_2粉末 | 第71-73页 |
| ·CuInSe_2粉末的结构 | 第71-72页 |
| ·CuInSe_2粉末的形貌 | 第72-73页 |
| ·CIS薄膜的单源热蒸发研究 | 第73-76页 |
| ·CIS薄膜的结构 | 第73-74页 |
| ·CIS薄膜的形貌及组分分析 | 第74-75页 |
| ·CIS薄膜的光学性能 | 第75-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 第五章 太阳电池吸收层CIS薄膜的固态硫化制备及纳米棒阵列研究 | 第78-97页 |
| ·引言 | 第78-79页 |
| ·实验部分 | 第79-81页 |
| ·CIS/CuInSe_2薄膜的固态硫/硒化生长 | 第79-80页 |
| ·Mo基片的预处理 | 第79页 |
| ·Mo薄膜的直流磁控溅射生长 | 第79-80页 |
| ·Cu/In薄膜的热蒸发制备 | 第80页 |
| ·固态硫/硒化工艺 | 第80页 |
| ·CIS纳米棒阵列的制备 | 第80-81页 |
| ·CIS薄膜的表征 | 第81页 |
| ·结果与讨论 | 第81-95页 |
| ·Cu-In合金前驱膜研究 | 第81-84页 |
| ·Cu-In前驱膜的结构相变分析 | 第81-83页 |
| ·Cu-In合金前驱膜的SEM分析 | 第83-84页 |
| ·固态硫化Cu-In合金前驱膜制备CIS薄膜 | 第84-90页 |
| ·CIS薄膜的XRD分析 | 第84-85页 |
| ·CIS薄膜的SEM分析 | 第85-87页 |
| ·CIS薄膜的力学性能分析 | 第87页 |
| ·CIS薄膜的BET分析结果 | 第87-88页 |
| ·CIS薄膜的电学性能 | 第88-89页 |
| ·CIS薄膜的光学性能 | 第89-90页 |
| ·固态硒化Cu-In合金前驱膜制备CuInSe_2薄膜 | 第90-92页 |
| ·固态硫化法应用于CIS纳米棒阵列研究 | 第92-95页 |
| ·CIS纳米阵列膜的形貌 | 第92-93页 |
| ·CIS纳米棒阵列的XRD分析 | 第93-94页 |
| ·CIS纳米棒阵列的Raman光谱分析 | 第94页 |
| ·纳米棒阵列在电池中的作用机理 | 第94-95页 |
| ·本章小结 | 第95-97页 |
| 第六章 论文的主要结论、创新点及工作展望 | 第97-100页 |
| ·论文的主要结论 | 第97-98页 |
| ·论文的创新点 | 第98页 |
| ·工作展望 | 第98-100页 |
| 参考文献 | 第100-120页 |
| 博士期间发表论文 | 第120-121页 |
| 致谢 | 第121-122页 |
