| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第8页 |
| 1.2 传统的非易失性存储器 | 第8-9页 |
| 1.3 新型的非易失性存储器 | 第9-12页 |
| 1.3.1 铁电存储器 | 第9-10页 |
| 1.3.2 磁阻存储器 | 第10-11页 |
| 1.3.3 相变存储器 | 第11页 |
| 1.3.4 阻变存储器 | 第11-12页 |
| 1.4 本文选题意义和内容安排 | 第12-14页 |
| 2 阻变存储器概述 | 第14-25页 |
| 2.1 RRAM的发展 | 第14-15页 |
| 2.2 RRAM的结构 | 第15-18页 |
| 2.2.1 平面堆栈结构 | 第16-17页 |
| 2.2.2 侧壁一致堆栈结构 | 第17页 |
| 2.2.3 横向结构 | 第17-18页 |
| 2.3 RRAM的材料 | 第18-21页 |
| 2.3.1 绝缘氧化物 | 第18页 |
| 2.3.2 半导体氧化物 | 第18-19页 |
| 2.3.3 硫系化合物电解质 | 第19页 |
| 2.3.4 其他无机材料 | 第19页 |
| 2.3.5 有机阻变材料 | 第19-20页 |
| 2.3.6 电极材料 | 第20-21页 |
| 2.4 RRAM的基本性质和参数 | 第21-22页 |
| 2.4.1 forming过程 | 第21页 |
| 2.4.2 SET和RESET过程 | 第21页 |
| 2.4.3 操作电压 | 第21页 |
| 2.4.4 存储窗口值 | 第21页 |
| 2.4.5 循环耐受性 | 第21-22页 |
| 2.4.6 保持特性 | 第22页 |
| 2.4.7 操作速度 | 第22页 |
| 2.5 RRAM常见的阻变机制 | 第22-23页 |
| 2.5.1 热化学机制 | 第22页 |
| 2.5.2 化学价变化机制 | 第22页 |
| 2.5.3 金属导电细丝机制 | 第22-23页 |
| 2.6 RRAM的阻变行为分类 | 第23-24页 |
| 2.6.1 双极型 | 第23页 |
| 2.6.2 单极型 | 第23-24页 |
| 2.6.3 互补电阻开关型 | 第24页 |
| 2.7 本章小结 | 第24-25页 |
| 3 VCM型RRAM的建模与仿真 | 第25-37页 |
| 3.1 仿真的几何模型 | 第25-26页 |
| 3.2 模型的数学物理方程 | 第26-29页 |
| 3.3 RESET过程仿真 | 第29-31页 |
| 3.4 SET过程仿真 | 第31-33页 |
| 3.5 互补电阻开关 | 第33-36页 |
| 3.6 本章小结 | 第36-37页 |
| 4 ECM型RRAM的建模与仿真 | 第37-46页 |
| 4.1 ECM单元的一维物理紧凑模型 | 第37-41页 |
| 4.2 ECM单元阻变特性仿真 | 第41-44页 |
| 4.2.1 I-V特性仿真 | 第42-43页 |
| 4.2.2 电极半径和电荷转移系数对阻变特性的影响 | 第43-44页 |
| 4.3 本章小结 | 第44-46页 |
| 5 基于HfO_x薄膜的忆阻器特性研究 | 第46-55页 |
| 5.1 器件的制备 | 第46-47页 |
| 5.1.1 磁控溅射 | 第46页 |
| 5.1.2 溶胶-凝胶法 | 第46-47页 |
| 5.1.3 等离子体氧化 | 第47页 |
| 5.2 器件的I-V特性 | 第47-49页 |
| 5.3 器件的循环耐受性 | 第49-50页 |
| 5.4 SET限制电流对阻变特性的影响 | 第50-52页 |
| 5.5 RESET扫描截止电压对阻变特性的影响 | 第52-54页 |
| 5.6 本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |