| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章: 绪论 | 第8-23页 |
| 1.1 自旋流 | 第8-9页 |
| 1.2 自旋波 | 第9页 |
| 1.3 自旋霍尔效应及其逆效应 | 第9-13页 |
| 1.4 自旋泵浦效应(spin pumping effect,SP) | 第13-15页 |
| 1.5 自旋霍尔磁电阻(spin Hall magnetoresistance,SMR) | 第15-16页 |
| 1.6 自旋塞贝克效应(spin Seebeck effect,SSE) | 第16-19页 |
| 1.6.1 纵向构型和横向构型 | 第17-18页 |
| 1.6.2 SSE理论 | 第18-19页 |
| 1.7 本章小结 | 第19-21页 |
| 1.8 参考文献 | 第21-23页 |
| 第二章: 实验制备 | 第23-36页 |
| 2.1 样品制备 | 第23-31页 |
| 2.1.1 靶材制备和基片处理 | 第23-24页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积制备YIG和GdIG薄膜 | 第24-29页 |
| 2.1.3 磁控溅射生长Pt | 第29-31页 |
| 2.2 样品性质 | 第31-36页 |
| 2.2.1 磁性补偿材料GdIG | 第31-33页 |
| 2.2.2 YIG和GdIG的AFM | 第33-36页 |
| 第三章 :自旋霍尔磁电阻 | 第36-51页 |
| 3.1 研究背景 | 第36-37页 |
| 3.2 SMR的角度依赖关系和场依赖关系 | 第37-40页 |
| 3.3 YIG/Pt和GdIG/Pt的SMR对比 | 第40-50页 |
| 3.3.1 GdIG/Pt的SMR温度依赖关系 | 第42-46页 |
| 3.3.2 GdIG/Pt补偿点附近的SMR | 第46-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章: 自旋塞贝克效应 | 第51-67页 |
| 4.1 研究背景 | 第51-52页 |
| 4.2 SSE的体效应与界面效应 | 第52-54页 |
| 4.3 实验装置和温度梯度的确定 | 第54-58页 |
| 4.4 YIG和GdIG单层膜的SSE随温度的变化 | 第58-60页 |
| 4.5 调控界面的SSE | 第60-65页 |
| 4.6 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章: 总结与展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 攻读硕士期间发表和待发表文章 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
