| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-28页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 AlGaN基紫外LED的基本性质 | 第13-18页 |
| 1.2.1 Ⅲ族氮化物基本性质 | 第13-15页 |
| 1.2.2 AlGaN基紫外LED的发光机理 | 第15-18页 |
| 1.3 紫外LED的发展前景与所存问题 | 第18-22页 |
| 1.3.1 市场应用前景 | 第18-20页 |
| 1.3.2 紫外LED现存问题与解决方案 | 第20-22页 |
| 1.4 本文工作和论文框架 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-28页 |
| 第二章 深紫外LED的模拟分析 | 第28-40页 |
| 2.1 LED模拟方法简介 | 第28-32页 |
| 2.1.1 半导体器件物理模型 | 第28-30页 |
| 2.1.2 半导体器件基本方程 | 第30-32页 |
| 2.2 APSYS软件简述 | 第32-36页 |
| 2.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-40页 |
| 第三章 AlGaN基深紫外LED超晶格p型掺杂的研究 | 第40-54页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 基本结构和参数设定 | 第40-42页 |
| 3.3 模拟结果及原因分析 | 第42-50页 |
| 3.3.1 模拟结果 | 第42-45页 |
| 3.3.2 原因分析 | 第45-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 第四章 PSL型AlGaN基DUV-LED的外延与表征 | 第54-66页 |
| 4.1 MOCVD外延生长 | 第54-57页 |
| 4.2 PL测试表征 | 第57-60页 |
| 4.2.1 PL测试系统简介 | 第57-59页 |
| 4.2.2 PL测试结果分析 | 第59-60页 |
| 4.3 CL测试表征 | 第60-63页 |
| 4.3.1 CL测试系统简介 | 第60-61页 |
| 4.3.2 CL测试结果分析 | 第61-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 附录 硕士期间发表论文 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70页 |