| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 微电子封装技术概述 | 第11页 |
| 1.3 互连焊点电迁移失效问题的研究现状 | 第11-15页 |
| 1.3.1 电迁移驱动机制 | 第11-13页 |
| 1.3.2 电迁移引起焊点可靠性的研究 | 第13-15页 |
| 1.4 互连焊点晶粒结构对可靠性影响的研究 | 第15-22页 |
| 1.4.1 晶粒结构对焊点可靠性的影响 | 第15-17页 |
| 1.4.2 晶粒结构对焊点电迁移现象的影响 | 第17-21页 |
| 1.4.3 基于晶粒结构的电迁移数值模拟研究 | 第21-22页 |
| 1.5 主要研究内容 | 第22-24页 |
| 第2章 电迁移实验材料及实验方法 | 第24-34页 |
| 2.1 引言 | 第24页 |
| 2.2 电迁移实验过程 | 第24-25页 |
| 2.3 电迁移实验材料和设备 | 第25-32页 |
| 2.3.1 芯片、焊盘及其电路设计 | 第25-26页 |
| 2.3.2 BGA测试试样制备 | 第26-28页 |
| 2.3.3 SEM形貌观察试样的制备 | 第28页 |
| 2.3.4 EBSD试样的制备及其检测 | 第28-29页 |
| 2.3.5 测试检测设备 | 第29-30页 |
| 2.3.6 晶体取向测试及分析原理 | 第30-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-34页 |
| 第3章 电迁移实验结果及分析 | 第34-54页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 焊点晶粒结构及其取向分析 | 第34-39页 |
| 3.2.1 焊点晶粒结构分析 | 第34-37页 |
| 3.2.2 焊点中交错孪晶结构分析 | 第37-39页 |
| 3.3 不同晶粒结构焊点的电迁移失效分析 | 第39-51页 |
| 3.3.1 单晶粒结构焊点的电迁移失效 | 第39-43页 |
| 3.3.2 单晶粒结构焊点的电迁移失效形式及IMC生长分析 | 第43-47页 |
| 3.3.3 多晶粒结构焊点的电迁移失效 | 第47-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-54页 |
| 第4章 考虑焊点晶粒结构的有限元模拟 | 第54-68页 |
| 4.1 引言 | 第54页 |
| 4.2 电迁移的理论模型 | 第54-57页 |
| 4.3 考虑晶粒结构的有限元模型 | 第57-62页 |
| 4.3.1 测试结构材料参数 | 第58-60页 |
| 4.3.2 多物理场边界条件 | 第60页 |
| 4.3.3 单晶粒结构焊点有限元模型 | 第60-61页 |
| 4.3.4 双晶粒结构焊点有限元模型 | 第61-62页 |
| 4.4 仿真结果分析 | 第62-65页 |
| 4.4.1 单晶粒结构焊点有限元仿真分析 | 第62-64页 |
| 4.4.2 双晶粒结构焊点有限元仿真分析 | 第64-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-68页 |
| 第5章 总结与展望 | 第68-72页 |
| 5.1 结论 | 第68-69页 |
| 5.2 创新点 | 第69页 |
| 5.3 展望 | 第69-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 攻读学位期间参加的科研项目和成果 | 第80页 |